DS1220AD-100IND+

4 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1220AD-100IND+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1220AD-100IND+ – это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) объемом 16 килобит, организованная как 2K x 8 бит. Микросхема предназначена для хранения данных при отключении питания, что делает ее идеальной для критически важных применений. Память выполнена в корпусе 24-DIP (Double Inline Package), поддерживающем монтаж через отверстия.

Преимущества

  • Энергонезависимость: данные сохраняются даже при отключении питания.
  • Высокая скорость доступа: время доступа составляет всего 100 нс.
  • Широкий диапазон напряжений питания (4.5V ~ 5.5V), что позволяет использовать данное устройство в различных проектах.
  • Надежность и долговечность: подходит для промышленных применений.

Недостатки

  • Технология NVSRAM может быть более дорогостоящей по сравнению с более простыми типами памяти.
  • Ограниченный объем памяти (16Kбит), что может быть недостаточно для некоторых применений.

Типовое использование

  • Хранение критически важных данных в промышленных контроллерах.
  • Системы регистрации данных, которые должны сохранять информацию при внезапном отключении питания.
  • Медицинское оборудование, требующее надежного хранения данных.
  • Автомобильная электроника и системы управления.

Рекомендации по применению

  • Кондиционирование питания: для обеспечения целостности данных рекомендуется использовать стабильное и чистое питание.
  • Использование блоков конденсаторов: рекомендуется установка байпасных конденсаторов для снижения шума и улучшения стабильности питания.
  • Правильное охлаждение: убедитесь, что устройство работает в пределах допустимого температурного диапазона (-40°C ~ 85°C).

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 16Kбит (2K x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи/считывания: 100 нс
  • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Корпус: 24-DIP (0.600", 15.24mm)

Возможные аналоги

  • DS1220AB-150+ от того же производителя, но с более медленным временем доступа – 150 нс.
  • FM16W08 – UV от Cypress Semiconductor: Емкость 16Kбит, FRAM с энергосберегающими свойствами.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК