DS1220AB-150+

4 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

DS1220AB-150+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1220AB-150+ — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) от компаний Analog Devices и Maxim Integrated. Данный компонент сочетает в себе быстродействие SRAM и энергонезависимую память, что позволяет сохранить данные при отключении питания благодаря встроенной литиевой батарее.

Преимущества

  • Надежное хранение данных: Благодаря встроенной батарее и энергонезависимой памяти, данные сохраняются даже при отсутствии внешнего питания.
  • Высокая скорость работы: Время доступа и записи составляет всего 150 нс.
  • Совместимость с различными микропроцессорами: Компонент может использоваться в системах с параллельным интерфейсом.
  • Продолжительный срок службы: Встроенная батарея рассчитана на работу более десяти лет при стандартных условиях эксплуатации.

Недостатки

  • Стоимость: NVSRAM модули могут быть дороже по сравнению с традиционными SRAM или EEPROM модулями.
  • Ограниченный диапазон рабочих температур: Поддержка только до 70°C, что может быть недостаточно для некоторых промышленных приложений.

Типовое использование

  • Промышленное оборудование: Хранение конфигурационных данных и параметров.
  • Микропроцессорные системы: Быстродействующая энергонезависимая память для критически важных приложений.
  • Медицинские устройства: Сохранение данных и логов оборудования.
  • Электронные системы управления: Данные о состоянии и настройках системы.

Рекомендации по применению

  • Обязательно соблюдайте рекомендации по питанию и температурным режимам для обеспечения оптимальной работы компонента.
  • Используйте фильтрующие конденсаторы на линии питания для защиты от шумов и помех.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 16 Kбит (2K x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время записи: 150 нс
  • Время доступа: 150 нс
  • Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 24-выводной DIP (0.600", 15.24 мм) (EDIP)

Возможные аналоги

  • DS1225AB-150+ — аналогичный модуль с увеличенным объемом памяти.
  • FM18W08-SGTR — NVSRAM от другого производителя с аналогичными характеристиками.
  • CY14B101L-SZ45XI — другой вариант энергонезависимой SRAM с повышенной температурной стойкостью.

Этот NVSRAM модуль — отличное решение для приложений, требующих высокой скорости доступа и надежного хранения данных при отключении питания.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК