DS1220AB-100+

4 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Конечно! Вот описание для DS1220AB-100+ от Analog Devices / Maxim Integrated:


DS1220AB-100+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1220AB-100+ – это энергонезависимое статическое оперативное запоминающее устройство (NVSRAM) с объемом памяти 16Kbit. Этот компонент сочетает в себе преимущества быстрого доступа SRAM и долговременного хранения данных. Устройство предназначено для замены стандартной статической оперативной памяти и позволяет сохранять данные даже при отключении питания.

Преимущества

  • Энергонезависимость: Сохраняет данные при отключении питания без использования внешних источников питания.
  • Удобство интеграции: Полностью совместим с SRAM, что облегчает замену в существующих схемах.
  • Высокая скорость работы: Время доступа к данным составляет всего 100 нс.
  • Надежность хранения данных: Гарантированное сохранение данных в памяти при любых условиях эксплуатации.

Недостатки

  • Температурное ограничение: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может быть несовместим с жесткими условиями эксплуатации.
  • Цена: Стоимость компонентов подобного типа может быть выше по сравнению с обычными SRAM без энергонезависимой функции.

Типовое использование

  • Промышленные контроллеры: Для хранения критически важных данных конфигурации и состояния.
  • Медицинское оборудование: В системах, требующих постоянного сохранения конфиденциальных данных.
  • Коммерческие системы: Устройства, требующие высокой скорости и надежности, такие как кассовые аппараты и банковские терминалы.

Рекомендации по применению

  • Замена стандартного SRAM: Прямо устанавливается туда, где используется стандартная память SRAM, без необходимости изменения схемотехники.
  • Критические системы: Использование в системах, где потеря данных недопустима, как резервное хранилище.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 16Kbit (2K x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 100 нс
  • Напряжение питания: 4.75V – 5.25V
  • Рабочий температурный диапазон: от 0°C до 70°C
  • Корпус: 24-выводный DIP модуль (0.600", 15.24 мм)
  • Монтаж: Сквозной монтаж (Through Hole)

Возможные аналоги

  • MSD1SRAM-1010: Альтернативный NVSRAM от другого производителя со схожими характеристиками.
  • CY14B101Q: Продукт от Cypress с аналогичным объемом памяти и интерфейсом.
  • IS62WV2568: Энергонезависимая SRAM с разным объемом памяти, возможно потребуется адаптация схемы.

Надеюсь, это описание окажется полезным для вашего интернет-магазина!

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК