DS1220AB-100+
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Конечно! Вот описание для DS1220AB-100+ от Analog Devices / Maxim Integrated:
DS1220AB-100+ от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание
DS1220AB-100+ – это энергонезависимое статическое оперативное запоминающее устройство (NVSRAM) с объемом памяти 16Kbit. Этот компонент сочетает в себе преимущества быстрого доступа SRAM и долговременного хранения данных. Устройство предназначено для замены стандартной статической оперативной памяти и позволяет сохранять данные даже при отключении питания.
Преимущества
- Энергонезависимость: Сохраняет данные при отключении питания без использования внешних источников питания.
- Удобство интеграции: Полностью совместим с SRAM, что облегчает замену в существующих схемах.
- Высокая скорость работы: Время доступа к данным составляет всего 100 нс.
- Надежность хранения данных: Гарантированное сохранение данных в памяти при любых условиях эксплуатации.
Недостатки
- Температурное ограничение: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может быть несовместим с жесткими условиями эксплуатации.
- Цена: Стоимость компонентов подобного типа может быть выше по сравнению с обычными SRAM без энергонезависимой функции.
Типовое использование
- Промышленные контроллеры: Для хранения критически важных данных конфигурации и состояния.
- Медицинское оборудование: В системах, требующих постоянного сохранения конфиденциальных данных.
- Коммерческие системы: Устройства, требующие высокой скорости и надежности, такие как кассовые аппараты и банковские терминалы.
Рекомендации по применению
- Замена стандартного SRAM: Прямо устанавливается туда, где используется стандартная память SRAM, без необходимости изменения схемотехники.
- Критические системы: Использование в системах, где потеря данных недопустима, как резервное хранилище.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Объем памяти: 16Kbit (2K x 8)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Время доступа: 100 нс
- Напряжение питания: 4.75V – 5.25V
- Рабочий температурный диапазон: от 0°C до 70°C
- Корпус: 24-выводный DIP модуль (0.600", 15.24 мм)
- Монтаж: Сквозной монтаж (Through Hole)
Возможные аналоги
- MSD1SRAM-1010: Альтернативный NVSRAM от другого производителя со схожими характеристиками.
- CY14B101Q: Продукт от Cypress с аналогичным объемом памяти и интерфейсом.
- IS62WV2568: Энергонезависимая SRAM с разным объемом памяти, возможно потребуется адаптация схемы.
Надеюсь, это описание окажется полезным для вашего интернет-магазина!
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.