DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Информация о продукте: DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Производитель: Infineon Technologies

Обозначение производителя: DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Общее описание

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 — это мощный интегральный модуль, содержащий восемь контроллеров MOSFET с дискретными SiC (карбид кремния) транзисторами. Этот модуль предназначен для использования в высокоэффективных системах управления мощностью и преобразования энергии при высоких напряжениях.

Преимущества

• Высокая эффективность: SiC-транзисторы обеспечивают высокую энергетическую эффективность благодаря их низким потерям переключения и проводимости.
• Компактный дизайн: Интеграция нескольких контроллеров в один модуль обеспечивает компактные и экономичные решения для систем управления мощностью.
• Высокая надёжность: Отличается высокой температурной стабильностью и долговечностью при использовании в условиях высокого напряжения.

Недостатки

• Стоимость: Компоненты на базе кремния карбида могут иметь более высокую стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми компонентами.
• Необходимость в опытных специалистах: Высокочастотные и высоковольтные элементы требуют продвинутого уровня знаний для их интеграции и управления.

Типовое использование

• Системы преобразования энергии: Используется в источниках бесперебойного питания (ИБП), солнечных инверторах, зарядных устройствах для электромобилей.
• Промышленное оборудование: Применяется в высокопроизводительных драйверах двигателей и электроприводах.
• Энергосбережение: Подходит для использования в энергоэффективных системах, требующих высокой выходной мощности при минимальных потерях.

Рекомендации по применению

• Соблюдение температурных условий: Убедитесь, что компонент работает в температурном диапазоне, указанном в технических характеристиках.
• Использование надлежащих радиаторов: Избегайте перегрева транзисторов, применяя соответствующие теплоотводы для эффективного рассеивания тепла.
• Понимание высоковольтного управления: Требуется опыт работы с высоковольтной электронникой и контролем энергии для эффективности использования этого компонента.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: 8 N-канальных MOSFET
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В (1.2 кВ)
• Постоянный ток стока (Id) @ 25°C: 45 A
• Сопротивление канала (Rds On): 16.2 мОм @ 50 A, 18 В
• Максимальный пороговый уровень на затворе (Vgs): 5.15 В @ 20 мА
• Полный заряд затвора (Qg) @ Vgs: 149 нКл @ 18 В
• Тип монтажа: крепление на шасси
• Корпус: модуль AG-EASY1B
• Температурный диапазон: -40°C ~ 175°C

Возможные аналоги

1. SCT3022ALGC11 — от ROHM Semiconductor
2. C2M1000170D — от Wolfspeed, Cree Inc.
3. FFSH20120AD — от ON Semiconductor

Это описание поможет вам лучше понять возможности и применения компонента DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 от Infineon Technologies. Учитывая его преимущества и технические характеристики, данный модуль идеально подходит для сложных систем управления мощностью и преобразования энергии.