DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

Информация о продукте DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 от Infineon

Общее описание

DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - это высокопроизводительный модуль MOSFET (металлооксидный полевой транзистор) от компании Infineon. Этот модуль предназначен для использования в мощных и надежных электронных устройствах и системах, обеспечивая высокую эффективность и низкие потери.

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокая допустимая токовая нагрузка.
• Надежность: Устойчивость к высоким температурам и напряжениям.
• Компактность: Модульный формат позволяет сэкономить место на печатной плате.

Недостатки

• Стоимость: Относительно высокая цена по сравнению с аналогичными модулями.
• Спецификация: Требует точного соблюдения условий эксплуатации для обеспечения максимальной надежности.

Типовое использование

• Энергетические системы: В системах преобразования и распределения электроэнергии.
• Инверторы: В инверторах для солнечных панелей и ветровых турбин.
• Промышленное оборудование: В приводах и системах контроля двигателей.
• Автомобильная электроника: В системах питания гибридных и электрических автомобилей.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обеспечить адекватное охлаждение для поддержания рабочих температур в допустимом диапазоне.
• Монтаж: Использовать рекомендованные методы и компоненты для монтажа модуля на печатную плату.
• Защита: Реализовать схемы защиты от перенапряжений и перегрузок для увеличения долговечности устройства.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: 4 N-канальных MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 2000V (2kV)
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 50A
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 26.5 мОм при 60A, 18V
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 5.15V при 34мA
• Максимальная зарядка затвора (Qg): 234nC при 18V
• Максимальная входная емкость (Ciss): 7240pF при 1.2kV
• Рабочая температура: от -40°C до +175°C (Tj)
• Тип монтажа: Монтаж на корпус (Chassis Mount)
• Корпус: AG-EASY3B

Возможные аналоги

• IXYS IXFN200N20: Схожие параметры по напряжению и току.
• Vishay SiHP33N60EF: Аналогичный по функциональности, но с меньшими коллегиальными характеристиками.
• STMicroelectronics STL236N8LF7: Подходит для применения в аналогичных областях с меньшей мощностью.

Этот модуль от Infineon представляет собой отличный выбор для использования в высокоэффективных и надежных электронных системах, требующих высоких показателей мощности и долговечности.