DF23MR12W1M1PB11BPSA1

DF23MR12W1M1PB11BPSA1 от Infineon

Общее описание:

DF23MR12W1M1PB11BPSA1 — это модуль IGBT с обратным диодом от Infineon Technologies. Он предназначен для применения в силовой электронике, включая инверторы, источники питания, моторные приводы и другие области, требующие высокой мощности и эффективности.

Преимущества:

• Высокая эффективность: Благодаря низкому потреблению при переключении и малому сопротивлению в открытом состоянии.
• Надежность: Обеспечивается стабильной работой при высоких температурах и прочными компонентами.
• Компактность: Модуль создан в оптимизированном корпусе для экономии пространства на плате.

Недостатки:

• Цена: Возможна более высокая стоимость по сравнению с другими решениями.
• Сложность в управлении: Требует точного управления для максимальной эффективности.

Типовое использование:

• Инверторы для солнечных панелей
• Промышленные моторные приводы
• Энергосберегающие блоки питания
• Для применения в электромобилях

Рекомендации по применению:

• Тщательно проектируйте систему охлаждения для обеспечения долгосрочной надежности.
• Гарантируйте соответствие управляющих сигналов параметрам компонента для исключения неисправностей.
• Старайтесь минимизировать длину соединений для уменьшения индуктивности и шумов.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1200 В
• Максимальный ток коллектора (Ic): 23 А
• Пиковый ток (Icm): 36 А
• Максимальная температура перехода (Tj): от -40°C до 150°C
• Корпус: EasyPACK™ 1B

Возможные аналоги:

• FZ1200R12KF4 от Infineon
• FM300R12KL4 от Semikron
• SKM200GB12T4 от Semikron

Заключение:

DF23MR12W1M1PB11BPSA1 от Infineon — это высокоэффективный и надежный модуль IGBT для широкого спектра силовых применений. Он обеспечивает отличную производительность и долговечность, что делает его отличным выбором для профессионалов в области силовой электроники.