DF23MR12W1M1B11BPSA1

20 400,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DF23MR12W1M1B11BPSA1 от Infineon

Общее описание

DF23MR12W1M1B11BPSA1 – это высокоэффективный модульный IGBT-транзистор от Infineon, рассчитанный на работу в условиях высокой мощности и напряжения. Этот модуль предназначен для использования в промышленных применениях и обеспечивает надежную коммутацию в цепях постоянного и переменного тока.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Низкие потери при переключении позволяют использовать модуль в высокоэффективных системах.
  • Повышенная надежность: Прочная конструкция и улучшенные характеристики теплопередачи обеспечивают длительный срок службы компонента.
  • Улучшенная теплопроводность: Хорошие теплотехнические характеристики снижают вероятность перегрева.
  • Компактные размеры: Меньший коэффициент занимаемой площади, что позволяет создавать более компактные устройства.

Недостатки

  • Высокая стоимость: Может быть дороже, чем отдельные IGBT-компоненты, из-за модульной конструкции.
  • Требуется дополнительное охлаждение: Для оптимальной работы может потребоваться активное охлаждение.

Типовое использование

  • Промышленные приводы
  • Инверторы
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Возобновляемые источники энергии (солнечные и ветровые электростанции)
  • Тяговые системы в транспорте

Рекомендации по применению

Для максимальной производительности и надежности рекомендуется соблюдать следующие рекомендации:

  • Обеспечить эффективное охлаждение, применяя радиаторы и/или воздушное охлаждение.
  • Использовать соответствующие драйверы для управления IGBT, чтобы избежать повреждения модуля.
  • Учитывать параметры перегрузки и избегать длительной работы на максимальных режимах.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: IGBT
  • Максимальное напряжение (Vces): 1200 В
  • Максимальный ток (Ic): 50 А
  • Сопротивление Rth(j-c) (макс.): 0.25 К/Вт
  • Время переключения (ton/toff): Быстрое
  • Корпус: Модуль (крепежные отверстия заготовлены)

Возможные аналоги

  • Fuji Electric 2MBI50S-120
  • Mitsubishi CM50DY-12H

Этот модульный транзистор представляет собой отличное решение для широкого ряда применений, требующих высокой мощности и надежности. Обеспечивая улучшенную теплопроводность и компактные размеры, он является незаменимым компонентом для современных индустриальных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК