DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 от Infineon

Общее описание

DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 – это высокомощный N-канальный SiCFET транзистор (карбид кремния) производства Infineon Technologies. Предназначен для повышения эффективности в широком диапазоне приложений, включая мощные преобразователи и инверторы. Этот транзистор отличается низким сопротивлением открытого состояния и высокой температурной стабильностью.

Преимущества

• Высокая эффективность: Благодаря использованию кремний-карбидной технологии, устройство обеспечивает низкие потери и высокую производительность.
• Высокое напряжение блока: Поддерживает напряжение до 1200 В.
• Высокий ток нагрузочной цепи: Способен управлять токами до 45А.
• Температурная устойчивость: Рабочий диапазон температур от -40°C до 175°C, что позволяет использовать его в жестких условиях окружающей среды.

Недостатки

• Стоимость: Может быть дороже по сравнению с традиционными силовыми MOSFET на основе кремния.
• Требования к управлению: Необходимы улучшенные схемы управления для полной эксплуатации потенциала SiC транзисторов.

Типовое использование

• Преобразователи DC-DC
• Инверторы для солнечных панелей
• Электромобили и зарядные станции
• Промышленные приводы
• Высокомощные источники питания

Рекомендации по применению

• Внимательно следите за температурным режимом, особенно при высоких токах.
• Обеспечьте надлежащую схематику управления для минимизации потерь и увеличения общей эффективности.
• Используйте соответствующие драйверы, предназначенные для управления SiC MOSFET.

Основные технические характеристики

• Тип FET: N-канальный
• Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 В
• Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45А (Tj)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15В, 18В
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 мОм @ 50А, 18В
• Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15 В @ 20 мA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 нК @ 18 В
• Vgs (Max): +20 В, -7 В
• Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 пФ @ 800 В
• Power Dissipation (Max): -
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Тип монтажа: Шасси
• Корпус: Модуль

Возможные аналоги

• Wolfspeed C3M0012065K: Похож на основании рабочего напряжения и технологии, однако имеет плотность тока ниже.
• Rohm SCT3022AL: Альтернативный SiC MOSFET, отличается меньшим сопротивлением Rds(on), однако имеет другие параметры управления и рабочие специфики.

Это описание предоставляет комплексную информацию о компоненте DF17MR12W1M1HFB68BPSA1, что делает его идеальным для использования на интернет-магазине электронных компонентов.