DF16MR12W1M1HFB67BPSA1

DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 от Infineon

Общее описание: DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 - высокопроизводительный модуль IGBT от компании Infineon Technologies. Этот модуль предназначен для использования в мощных инверторах и преобразователях напряжения, предлагая отличные характеристики по напряжению и току, что делает его идеальным для промышленных и энергетических приложений.

Преимущества:

• Высокая плотность мощности.
• Надежность и долговечность.
• Уменьшение потерь при переключении.
• Компактный и лёгкий для монтажа корпус.

Недостатки:

• Может требовать радиатора для эффективного отвода тепла.
• Более высокая стоимость по сравнению с менее эффективными модулями.

Типовое использование:

• Промышленные инверторы.
• Преобразователи энергии для солнечных панелей.
• Приводы для электромоторов.
• Системы энергоснабжения и управления.

Рекомендации по применению:

1. Обеспечьте надлежащий теплоотвод, используя радиаторы или системы активного охлаждения.
2. Используйте защиту от перенапряжения и пикового тока для увеличения долговечности модуля.
3. Разработайте надёжные схемы управления затвором для оптимизации переключения и уменьшения потерь.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: IGBT.
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1200В.
• Максимальный ток (Ic): 25А.
• Коэффициент усиления тока (hFE): до 75.
• Потери включения (Eon): 13.4 мДж.
• Потери выключения (Eoff): 43.9 мДж.
• Падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер (Vce(sat)): 2.1В.
• Рабочая температура: от -40°C до 150°C.

Возможные аналоги:

• CM75MXA-24A от Mitsubishi Electric.
• ARAM1600 от ON Semiconductor.
• FF300R12ME4 от Infineon.

Этот модуль является отличным решением для приложений, требующих высокой надежности и эффективности при работе с высокими токами и напряжениями.