DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 от Infineon
Общее описание
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 - это высокоэффективный модуль на основе карбида кремния (SiC), принадлежащий к семейству CoolSiC™ MOSFET компании Infineon. Этот компонент предназначен для использования в высокомощных конверсивных приложениях, таких как источники питания, моторные приводы и системы возобновляемой энергетики.
Преимущества
- Высокая эффективность: благодаря технологии SiC, модуль обеспечивает минимальные потери энергии.
- Высокая рабочая температура: модули могут работать при высоких температурах, что увеличивает их надежность и долговечность.
- Компактные размеры: позволяет уменьшить размеры конечных устройств.
- Низкое тепловыделение: уменьшает необходимость в сложных системах охлаждения.
Недостатки
- Высокая стоимость: технологии на основе карбида кремния могут быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми компонентами.
Типовое использование
- Источники питания: используется для повышения эффективности и надежности систем питания.
- Моторные приводы: улучшает производительность и снижает энергопотребление в промышленных моторах.
- Системы возобновляемой энергетики: идеально подходит для использования в солнечных и ветровых энергетических установках.
Рекомендации по применению
- Убедитесь в наличии соответствующих теплоотводов для эффективного отвода тепла.
- Используйте подходящие драйверы для управления MOSFET.
- Проверьте совместимость модуля с другими компонентами вашей схемы.
Основные технические характеристики
- Drain-to-Source Voltage (Vdss): 1200 В
- Ток непрерывного стока (Id) при 25°C: -
- Rds(on) (макс) при Id, Vgs: -
- Заряд затвора (Qg) (макс) при Vgs: -
- Мощность (макс): -
- Рабочая температура: -
- Монтаж: Монтаж на шасси
- Корпус/Тип: Модуль
- Устройство поставщика: AG-EASY1B
Возможные аналоги
- FZ1200R12KF5C_B2 от Infineon: Высоковольтный модуль IGBT, предназначенный для аналогичных применений.
- SKM800GA12E4 от Semikron: Альтернативный модуль на основе SiC с подобными характеристиками.
Заключение
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 от Infineon представляет собой передовое решение для высокомощных конверсивных схем, обеспечивая высокую эффективность и надежность. Благодаря использованию карбида кремния, этот модуль идеально подходит для применения в самых требовательных условиях.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.