DF11MR12W1M1HFB67BPSA1

25 680,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 от Infineon

Общее описание

DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 - это высокоэффективный модуль на основе карбида кремния (SiC), принадлежащий к семейству CoolSiC™ MOSFET компании Infineon. Этот компонент предназначен для использования в высокомощных конверсивных приложениях, таких как источники питания, моторные приводы и системы возобновляемой энергетики.

Преимущества

  • Высокая эффективность: благодаря технологии SiC, модуль обеспечивает минимальные потери энергии.
  • Высокая рабочая температура: модули могут работать при высоких температурах, что увеличивает их надежность и долговечность.
  • Компактные размеры: позволяет уменьшить размеры конечных устройств.
  • Низкое тепловыделение: уменьшает необходимость в сложных системах охлаждения.

Недостатки

  • Высокая стоимость: технологии на основе карбида кремния могут быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми компонентами.

Типовое использование

  • Источники питания: используется для повышения эффективности и надежности систем питания.
  • Моторные приводы: улучшает производительность и снижает энергопотребление в промышленных моторах.
  • Системы возобновляемой энергетики: идеально подходит для использования в солнечных и ветровых энергетических установках.

Рекомендации по применению

  • Убедитесь в наличии соответствующих теплоотводов для эффективного отвода тепла.
  • Используйте подходящие драйверы для управления MOSFET.
  • Проверьте совместимость модуля с другими компонентами вашей схемы.

Основные технические характеристики

  • Drain-to-Source Voltage (Vdss): 1200 В
  • Ток непрерывного стока (Id) при 25°C: -
  • Rds(on) (макс) при Id, Vgs: -
  • Заряд затвора (Qg) (макс) при Vgs: -
  • Мощность (макс): -
  • Рабочая температура: -
  • Монтаж: Монтаж на шасси
  • Корпус/Тип: Модуль
  • Устройство поставщика: AG-EASY1B

Возможные аналоги

  • FZ1200R12KF5C_B2 от Infineon: Высоковольтный модуль IGBT, предназначенный для аналогичных применений.
  • SKM800GA12E4 от Semikron: Альтернативный модуль на основе SiC с подобными характеристиками.

Заключение

DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 от Infineon представляет собой передовое решение для высокомощных конверсивных схем, обеспечивая высокую эффективность и надежность. Благодаря использованию карбида кремния, этот модуль идеально подходит для применения в самых требовательных условиях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК