CY7S1061GE30-10BVXI

CY7S1061GE30-10BVXI от Infineon

Общее описание

CY7S1061GE30-10BVXI - это статическая оперативная память (SRAM) с объемом 16 Мбит, разработанная компанией Infineon. Эта микросхема предназначена для высокоскоростной синхронной работы и использует параллельный интерфейс для быстрой передачи данных. Компонент упакован в корпус 48-VFBGA (6x8 мм), что обеспечивает компактное размещение на печатной плате.

Преимущества

• Высокоскоростная работа: Время доступа к памяти составляет 10 нс, что делает её идеальной для приложений, требующих высокой производительности.
• Диапазон напряжения питания: Микросхема поддерживает напряжение питания от 2.2 В до 3.6 В, что делает её универсальной для различных схем.
• Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до +85°C, что позволяет использовать её в промышленных условиях и встраиваемых системах.
• Компактный корпус: Форм-фактор 48-VFBGA (6x8 мм) дает возможность плотного размещения на печатных платах, что важно для современных малогабаритных устройств.

Недостатки

• Волатильная память: Данные в SRAM сохраняются только при наличии питания, что не подходит для приложений, требующих долговременного хранения данных без энергии.
• Повышенное энергопотребление: По сравнению с нероманическими типами памяти (например, EEPROM или Flash).

Типовое использование

• Встраиваемые системы
• Буферизация данных в сетевом оборудовании
• Цифровая обработка сигналов (DSP)
• Системы реального времени
• Промышленная и автомобильная электроника

Рекомендации по применению

• Следует обеспечить правильное распределение питания для предотвращения бросков тока.
• Рекомендуется использование радиаторов или других методов охлаждения при работе в жестких температурных условиях.
• Проводите регулярную проверку и тестирование для предотвращения потенциальных отказов в критически важных приложениях.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Временная (SRAM)
• Организация памяти: 1M x 16 бит
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи (цикл, слово, страница): 10 нс
• Время доступа: 10 нс
• Напряжение питания: от 2.2 В до 3.6 В
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C
• Корпус: 48-VFBGA (6x8 мм)

Возможные аналоги

• AS6C4016-55BIN: Аналогичный по характеристикам SRAM от Alliance Memory с объемом 4 Мбит.
• CY7C1041G-10ZXI: Еще один аналог от Cypress (Infineon), но с меньшим объемом памяти 4 Мбит.
• IS61WV51216BLL-10TLI: 8 Мбит SRAM от ISSI, также с временем доступа 10 нс и широким диапазоном напряжения питания.

Использование CY7S1061GE30-10BVXI от Infineon позволит вам создать высокопроизводительные системы, требующие быстрый доступ к временной памяти, с широкими возможностями применения в различных отраслях.