CY7S1061G30-10BVXI

9 360,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY7S1061G30-10BVXI от Infineon

Общее описание

CY7S1061G30-10BVXI - это высокопроизводительная статическая оперативная память (SRAM) с ёмкостью 16 мегабит, организованная как 1 Мбит x 16. Это энергосберегающий компонент, обладающий высокой скоростью работы и предназначенный для использования в устройствах, требующих быстрой и надежной памяти.

Преимущества

  • Высокая скорость: Время доступа составляет всего 10 наносекунд, что позволяет обеспечить высокую производительность системы.
  • Низкое энергопотребление: Снизить энергопотребление помогает широкий диапазон напряжений питания, от 2.2В до 3.6В.
  • Компактный корпус: 48-контактный корпус VFBGA (6x8 мм) позволяет экономить место на печатной плате.
  • Надёжность: Промышленный температурный диапазон (-40°C ~ 85°C) обеспечивает стабильную работу в различных условиях.

Недостатки

  • Требует специфических условий монтажа, так как корпус VFBGA требует точного выравнивания при пайке.
  • Не подходит для применения в высокорадиационных средах, так как не обладает повышенной радиационной стойкостью.

Типовое использование

  • Встроенные системы и микроконтроллеры
  • Буферизация данных в высокоскоростных коммуникационных устройствах
  • Портативные и мобильные устройства
  • Промышленная автоматика
  • Медицинское оборудование

Рекомендации по применению

  1. Питание: Обеспечьте стабильное напряжение питания в диапазоне от 2.2В до 3.6В для стабильной работы.
  2. Температурные условия: Убедитесь, что рабочая температура не превышает указанные границы (-40°C ~ 85°C).
  3. Монтаж: Применяйте автоматизированные системы пайки для точного размещения и пайки компонента.
  4. Сопряжённые компоненты: Используйте совместимые микроконтроллеры и коммуникационные чипы для обеспечения полной производительности устройства.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Вызывная, статическая (SRAM)
  • Формат памяти: Synchronous, SDR
  • Объем памяти: 16 Мбит (1 Мбит x 16)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 10 нс
  • Напряжение питания: 2.2В ~ 3.6В
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 48-VFBGA (6x8 мм)

Возможные аналоги

  • IS61WV102416BLL-10TLI от ISSI
  • AS7C34098-10TIN от Alliance Memory
  • GS71116TP-10I от GSI Technology

Этот высокопроизводительный компонент идеально подойдет для применения в системах, где важны высокая скорость работы и надежность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК