CY7C2670KV18-550BZXI

Описание продукта: CY7C2670KV18-550BZXI от Infineon

Общее описание: CY7C2670KV18-550BZXI - это высокопроизводительная синхронная SRAM память с объемом 144Mbit, организованная как 4M x 36. Эта микросхема использует технологию DDR II+, что позволяет достигать высокой скорости передачи данных при частоте 550 MHz.

Преимущества:

• Высокая скорость работы благодаря технологии DDR II+.
• Поддержка двухсловной буферизации (Two-Word Burst) для улучшения производительности при последовательных доступах.
• Низкое напряжение питания от 1.7V до 1.9V, что снижает энергопотребление.
• Подходит для применений, требующих большой объем быстрой памяти.

Недостатки:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти.
• Ограниченное применение из-за специфических требований к скорости и интерфейсу.

Типовое использование:

• Серверы и вычислительные системы высокой производительности.
• Телекоммуникационное оборудование.
• Продвинутые системы видеообработки.

Рекомендации по применению:

• Использовать в системах, где требуется высокая скорость обработки данных и большой объем памяти.
• Обеспечить адекватное охлаждение, так как высокая скорость может привести к повышению температуры чипа.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: Volatile, SRAM - Synchronous, DDR II+
• Размер памяти: 144Mbit
• Организация памяти: 4M x 36
• Интерфейс: Parallel
• Частота: 550 MHz
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги:

• Похожие SRAM чипы других производителей с сопоставимыми характеристиками, но возможно с другими параметрами скорости или организации памяти.