CY7C2670KV18-550BZI

Описание продукта: CY7C2670KV18-550BZI

Производитель: Infineon Technologies

Категория: Интегральные схемы (ИС) - Память

Описание: SRAM - Синхронная, DDR II+ память IC 144Mbit параллельная 550 MHz 165-FBGA (15x17)

Статус: Активный

Основные характеристики:

• Тип памяти: Волатильная
• Формат памяти: SRAM
• Технология: SRAM - Синхронная, DDR II+
• Размер памяти: 144Mbit
• Организация памяти: 4M x 36
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота работы: 550 MHz
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус: 165-FBGA (15x17)

Применение:

CY7C2670KV18-550BZI широко используется в высокопроизводительных вычислительных системах, сетевых устройствах, телекоммуникационном оборудовании и других приложениях, где требуется быстрая и надежная временная память.

Преимущества:

• Высокая скорость передачи данных благодаря частоте 550 MHz.
• Поддержка параллельного интерфейса обеспечивает легкую интеграцию в систему.
• Низкое энергопотребление за счет использования технологии DDR II+.

Недостатки:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти.
• Ограниченная доступность из-за специфических требований к применению.

Рекомендации по использованию:

Для максимальной производительности и надежности рекомендуется обеспечить адекватное охлаждение компонента, а также использовать стабильное и чистое питание.