CY7C2663KV18-550BZXI

Описание компонента CY7C2663KV18-550BZXI от Infineon

Общее описание: CY7C2663KV18-550BZXI — это высокопроизводительная синхронная SRAM память с квадратурным доступом данных (QDR II+), производства компании Infineon. Этот чип обладает объемом памяти 144Mbit и интерфейсом параллельного доступа, работающим на частоте до 550 MHz.

Преимущества:

• Высокая скорость работы благодаря частоте 550 MHz.
• Поддержка квадратурного доступа данных (QDR II+), что обеспечивает высокую пропускную способность.
• Низкое напряжение питания от 1.7V до 1.9V, что снижает энергопотребление.
• Подходит для работы в условиях от -40°C до 85°C, что делает его универсальным для различных применений.

Недостатки:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти из-за специализированных характеристик.
• Требует точного соблюдения условий эксплуатации для достижения заявленных характеристик.

Типовое использование:

• Системы связи высокой пропускной способности.
• Серверы и сетевое оборудование.
• Промышленные и медицинские приложения, требующие высокой скорости обработки данных.

Рекомендации по применению:

• Обеспечить адекватное охлаждение компонента для предотвращения перегрева.
• Использовать стабильные источники питания для предотвращения сбоев в работе.
• Провести тщательное тестирование в условиях, максимально приближенных к эксплуатационным.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: Volatile SRAM - Synchronous, QDR II+
• Размер памяти: 144Mbit
• Организация памяти: 8M x 18
• Частота: 550 MHz
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги:

• Похожие модели от других производителей с аналогичными характеристиками для сравнения и выбора в зависимости от ценовых и технических предпочтений.

Этот компонент идеально подходит для разработчиков, ищущих надежные и высокопроизводительные решения для систем с интенсивной обработкой данных.