CY7C25702KV18-550BZXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Информация о компоненте: CY7C25702KV18-550BZXI
Производитель: Infineon Technologies
Название: CY7C25702KV18-550BZXI
Общее описание
CY7C25702KV18-550BZXI — это высокоскоростная синхронная SRAM память типа DDR II+ с объемом 72 Мбит. Она предназначена для использования в приложениях, требующих быстрой и высокоэффективной обработки данных, таких как сетевые маршрутизаторы и коммутаторы, а также серверы и устройства хранения данных.
Преимущества
- Высокая скорость: Тактовая частота до 550 МГц обеспечивает быструю обработку данных.
- Эффективность: Поддержка DDR II+ стандарта позволяет оптимизировать энергопотребление.
- Надежность: Рабочий температурный диапазон от -40°C до +85°C гарантир возможности использования в различных условиях окружающей среды.
Недостатки
- Сложность монтажа: Компонент доступен в корпусе 165-FBGA, что может требовать специального оборудования для монтажа.
- Стоимость: Высокая производительность может сопровождаться увеличенными затратами.
Типовое использование
- Сетевое оборудование: маршрутизаторы, коммутаторы
- Серверные системы
- Системы хранения данных
- Встроенные системы с высокими требованиями к производительности и надежности
Рекомендации по применению
- Используйте этот SRAM модуль в целях, требующих высокой скорости доступа к данным.
- Убедитесь в соответствии рабочих параметров устройства с техническими условиями применения компонента.
- Реализовывайте надежные схемы охлаждения, особенно при использовании компонента при высокой температуре окружающей среды.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Volatile, SRAM - Synchronous, DDR II+
- Объем памяти: 72 Мбит
- Организация памяти: 2M x 36
- Интерфейс: Parallel
- Тактовая частота: до 550 МГц
- Рабочее напряжение: 1.7V ~ 1.9V
- Диапазон рабочих температур: -40°C ~ +85°C
- Корпус: 165-FBGA (13x15)
Возможные аналоги
- CY7C25602KV18-550BZXI - Альтернативный вариант с аналогичными параметрами и функциями.
- IS61QDPB42M36A-250B3L от ISSI - Похожий по характеристикам DDR II+ SRAM модуль.
Используйте этот компонент при создании высокопроизводительных систем, требующих надежной и быстрой памяти. Убедитесь в соответствии всех параметров и соблюдайте рекомендации производителем для достижения наилучших результатов!
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.