CY7C25702KV18-550BZXI

30 720,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Информация о компоненте: CY7C25702KV18-550BZXI

Производитель: Infineon Technologies
Название: CY7C25702KV18-550BZXI


Общее описание

CY7C25702KV18-550BZXI — это высокоскоростная синхронная SRAM память типа DDR II+ с объемом 72 Мбит. Она предназначена для использования в приложениях, требующих быстрой и высокоэффективной обработки данных, таких как сетевые маршрутизаторы и коммутаторы, а также серверы и устройства хранения данных.

Преимущества

  • Высокая скорость: Тактовая частота до 550 МГц обеспечивает быструю обработку данных.
  • Эффективность: Поддержка DDR II+ стандарта позволяет оптимизировать энергопотребление.
  • Надежность: Рабочий температурный диапазон от -40°C до +85°C гарантир возможности использования в различных условиях окружающей среды.

Недостатки

  • Сложность монтажа: Компонент доступен в корпусе 165-FBGA, что может требовать специального оборудования для монтажа.
  • Стоимость: Высокая производительность может сопровождаться увеличенными затратами.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: маршрутизаторы, коммутаторы
  • Серверные системы
  • Системы хранения данных
  • Встроенные системы с высокими требованиями к производительности и надежности

Рекомендации по применению

  • Используйте этот SRAM модуль в целях, требующих высокой скорости доступа к данным.
  • Убедитесь в соответствии рабочих параметров устройства с техническими условиями применения компонента.
  • Реализовывайте надежные схемы охлаждения, особенно при использовании компонента при высокой температуре окружающей среды.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Volatile, SRAM - Synchronous, DDR II+
  • Объем памяти: 72 Мбит
  • Организация памяти: 2M x 36
  • Интерфейс: Parallel
  • Тактовая частота: до 550 МГц
  • Рабочее напряжение: 1.7V ~ 1.9V
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ~ +85°C
  • Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C25602KV18-550BZXI - Альтернативный вариант с аналогичными параметрами и функциями.
  • IS61QDPB42M36A-250B3L от ISSI - Похожий по характеристикам DDR II+ SRAM модуль.

Используйте этот компонент при создании высокопроизводительных систем, требующих надежной и быстрой памяти. Убедитесь в соответствии всех параметров и соблюдайте рекомендации производителем для достижения наилучших результатов!

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК