CY7C25702KV18-500BZXC
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание продукта: CY7C25702KV18-500BZXC от Infineon Technologies
Общее описание: CY7C25702KV18-500BZXC - это высокопроизводительная синхронная SRAM память с объемом 72 Мбит, организованная как 2M x 36. Эта память использует технологию DDR II+, что позволяет достигать высокой скорости передачи данных при частоте 500 МГц.
Преимущества:
- Высокая скорость работы благодаря частоте 500 МГц.
- Поддержка двухсловной архитектуры с бурстом 2.5 цикла.
- Низкое напряжение питания от 1.7V до 1.9V, что снижает энергопотребление.
- Подходит для высокопроизводительных вычислительных систем и сетевых устройств.
Недостатки:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти.
- Ограниченное применение из-за специфических требований к скорости и интерфейсу.
Типовое использование:
- Серверы и сетевое оборудование.
- Высокопроизводительные вычислительные системы.
- Телекоммуникационное оборудование.
Рекомендации по применению:
- Используйте эту память в приложениях, где требуется высокая скорость обработки данных.
- Обеспечьте адекватное охлаждение компонента для предотвращения перегрева.
- Убедитесь, что ваша система поддерживает интерфейс и электрические характеристики данной памяти.
Основные технические характеристики:
- Тип памяти: Volatile, SRAM - Synchronous, DDR II+
- Размер памяти: 72Mbit
- Организация памяти: 2M x 36
- Частота: 500 MHz
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
Возможные аналоги:
- Поиск аналогов может быть выполнен среди других производителей SRAM памяти, предлагающих схожие характеристики по скорости и объему.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.