CY7C2568KV18-400BZC
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание компонента CY7C2568KV18-400BZC от Infineon
Общее описание
CY7C2568KV18-400BZC – это высокопроизводительный синхронный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) от компании Infineon. Этот компонент предоставляет 72 Мбит (4M x 18) двойной скорости передачи данных (DDR II+) и поддерживает параллельный интерфейс. Он предназначен для использования в системах, требующих высокой скорости обмена данными и надежного хранения данных.
Преимущества
- Высокая скорость: Рабочая частота до 400 МГц, обеспечивающая максимальную скорость передачи данных.
- Эффективность питания: Рабочее напряжение от 1.7V до 1.9V, что позволяет экономить энергию.
- Синхронная работа: Поддержка синхронного интерфейса для упрощения интеграции с другими компонентами.
Недостатки
- Высокий уровень сложности: Требует точного проектирования и разводки печатной платы для достижения максимальной производительности.
- Устаревшая модель: Компонент отмечен как устаревший и может быть трудно доступен на рынке.
Типовое использование
- Сетевое оборудование: Используется в маршрутизаторах, коммутаторах и других сетевых устройствах.
- Телекоммуникации: Применяется в телекоммуникационных системах для обработки больших объемов данных.
- Обработка видео и изображений: Используется в системах обработки видео и изображений для буферизации данных.
Рекомендации по применению
- Печатная плата: Необходимо тщательно спроектировать разводку печатной платы, учитывая высокую частоту сигнала.
- Питание: Обеспечить стабильное питание в диапазоне 1.7V ~ 1.9V.
- Температурный режим: Следить за рабочей температурой, которая должна находиться в диапазоне 0°C ~ 70°C.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Волатильная (SRAM)
- Формат памяти: Синхронная DDR II+
- Объем памяти: 72 Мбит (4M x 18)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Частота тактового сигнала: До 400 МГц
- Рабочее напряжение: 1.7V ~ 1.9V
- Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C (TA)
- Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
- Корпус: 165-FBGA (13x15)
Возможные аналоги
- IS61QDPB41M36A-250M3 от ISSI: Аналогичный SRAM с схожими характеристиками.
- MT47H64M16HR-25E от Micron Technology: Другой тип DDR2 SRAM, который может использоваться как замена в некоторых случаях.
Этот компонент CY7C2568KV18-400BZC от Infineon является отличным выбором для использования в высокоскоростных системах, требующих надежного и быстрого обмена данными.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.