CY7C2568KV18-400BZC

67 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента CY7C2568KV18-400BZC от Infineon

Общее описание

CY7C2568KV18-400BZC – это высокопроизводительный синхронный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) от компании Infineon. Этот компонент предоставляет 72 Мбит (4M x 18) двойной скорости передачи данных (DDR II+) и поддерживает параллельный интерфейс. Он предназначен для использования в системах, требующих высокой скорости обмена данными и надежного хранения данных.

Преимущества

  • Высокая скорость: Рабочая частота до 400 МГц, обеспечивающая максимальную скорость передачи данных.
  • Эффективность питания: Рабочее напряжение от 1.7V до 1.9V, что позволяет экономить энергию.
  • Синхронная работа: Поддержка синхронного интерфейса для упрощения интеграции с другими компонентами.

Недостатки

  • Высокий уровень сложности: Требует точного проектирования и разводки печатной платы для достижения максимальной производительности.
  • Устаревшая модель: Компонент отмечен как устаревший и может быть трудно доступен на рынке.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Используется в маршрутизаторах, коммутаторах и других сетевых устройствах.
  • Телекоммуникации: Применяется в телекоммуникационных системах для обработки больших объемов данных.
  • Обработка видео и изображений: Используется в системах обработки видео и изображений для буферизации данных.

Рекомендации по применению

  1. Печатная плата: Необходимо тщательно спроектировать разводку печатной платы, учитывая высокую частоту сигнала.
  2. Питание: Обеспечить стабильное питание в диапазоне 1.7V ~ 1.9V.
  3. Температурный режим: Следить за рабочей температурой, которая должна находиться в диапазоне 0°C ~ 70°C.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Волатильная (SRAM)
  • Формат памяти: Синхронная DDR II+
  • Объем памяти: 72 Мбит (4M x 18)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: До 400 МГц
  • Рабочее напряжение: 1.7V ~ 1.9V
  • Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • IS61QDPB41M36A-250M3 от ISSI: Аналогичный SRAM с схожими характеристиками.
  • MT47H64M16HR-25E от Micron Technology: Другой тип DDR2 SRAM, который может использоваться как замена в некоторых случаях.

Этот компонент CY7C2568KV18-400BZC от Infineon является отличным выбором для использования в высокоскоростных системах, требующих надежного и быстрого обмена данными.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК