CY7C25682KV18-500BZC

Описание продукта: CY7C25682KV18-500BZC от Infineon Technologies

Общее описание: CY7C25682KV18-500BZC - это интегральная схема памяти SRAM (Static Random-Access Memory) синхронного типа DDR II+, предназначенная для высокоскоростных приложений, где требуется быстрый доступ к данным. Эта микросхема обладает объемом памяти 72Mbit и организована как 4M x 18 бит.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: Volatile, SRAM - Synchronous, DDR II+
• Размер памяти: 72Mbit
• Организация памяти: 4M x 18
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота работы: 500 MHz
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: от 0°C до 70°C
• Тип монтажа: Поверхностный (Surface Mount)
• Корпус: 165-FBGA (13x15)

Преимущества:

• Высокая скорость доступа к данным благодаря частоте 500 MHz.
• Поддержка высокоскоростного интерфейса делает её идеальной для использования в системах, требующих быстрой обработки больших объемов данных.
• Низкое напряжение питания способствует снижению энергопотребления.

Типичное использование:

• Системы связи
• Видеообработка
• Серверы и сетевые устройства
• Промышленные контрольные системы

Рекомендации по применению:

• Убедитесь, что напряжение питания и температурные условия соответствуют спецификациям.
• При проектировании печатной платы обеспечьте адекватный теплоотвод для предотвращения перегрева.
• Используйте соответствующие методы защиты от электростатического разряда при обращении с микросхемой.

Возможные аналоги:

• Поиск аналогов может быть выполнен среди других производителей SRAM памяти, предлагающих схожие характеристики по скорости и объему памяти.

Эта микросхема SRAM от Infineon Technologies представляет собой надежное решение для систем, где требуется быстрый доступ к данным и высокая надежность.