CY7C25682KV18-400BZXC

CY7C25682KV18-400BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C25682KV18-400BZXC - это высокопроизводительный синхронный SRAM (Static Random Access Memory) с двойной скоростью передачи данных второго поколения (DDR II+). Этот компонент предоставляет 72 Мбит памяти и предназначен для применения в тех случаях, где критически важны высокая скорость и эффективность, например, в сетевом оборудовании и высокопроизводительных вычислительных системах.

Преимущества

• Высокая скорость: Поддержка частоты до 400 МГц обеспечивает высокую пропускную способность.
• Энергоэффективность: Работает при напряжении питания 1.7V ~ 1.9V, что способствует снижению энергопотребления.
• Повышенная надежность: Это устройство имеет низкий уровень задержек и высокую стабильность.

Недостатки

• Требовательность к окружающей среде: Рабочий температурный диапазон ограничен 0°C ~ 70°C.
• Площадь на плате: Помещение 165-FBGA корпуса требует значительной площади на печатной плате.

Типовое использование

• Сетевое оборудование (маршрутизаторы, коммутаторы)
• Высокопроизводительные вычислительные системы
• Системы, требующие высокоскоростной обработки данных

Рекомендации по применению

• Тщательно проектируйте питание: Убедитесь, что напряжение питания 1.7V ~ 1.9V поддерживается стабильно и без помех.
• Учитывайте тепловые характеристики: В случае больших рабочих нагрузок предусмотрите адекватное охлаждение.
• Симуляция и тестирование: Используйте симуляционные инструменты для анализа схем перед внедрением в производство.

Основные технические характеристики

Возможные аналоги

• CY7C25682KV18-333BZXI от Cypress Semiconductor
• IS61WV204816BLL-10BLI от ISSI
• AS7C34098A-12TJI от Alliance Memory

При использовании CY7C25682KV18-400BZXC от Infineon вы получите быстрый и надежный синхронный SRAM, подходящий для широкого спектра высокопроизводительных применений.