CY7C25652KV18-500BZXC

63 120,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C25652KV18-500BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C25652KV18-500BZXC – это высокоскоростная синхронная память SRAM (Static Random-Access Memory) с интерфейсом QDR II+ (Quad Data Rate II+), разработанная для использования в высокопроизводительных приложениях. Объем памяти составляет 72 Мбит, а максимальная частота работы – 500 МГц. Устройство выполнено в корпусе 165-FBGA (13x15 мм).

Преимущества

  • Высокая скорость работы: Поддерживает до 500 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных.
  • QDR II+ интерфейс: Повышенная пропускная способность благодаря одновременной передаче данных на обоих фронтах тактового сигнала.
  • Плотность памяти: 72 Мбит позволяет хранить значительные объемы данных.

Недостатки

  • Цена: Высокопроизводительные компоненты, такие как этот, могут быть дороже аналогов.
  • Уровень напряжения: Требует строго определенного диапазона напряжения питания (1,7В - 1,9В).

Типовое использование

  • Сетевые коммутаторы и маршрутизаторы
  • Системы хранения данных
  • Высокопроизводительные вычислительные системы
  • Военные приложения и аэрокосмическая техника

Рекомендации по применению

  • Напряжение питания: Убедитесь, что подаваемое напряжение находится в пределах 1,7В - 1,9В для стабильной работы устройства.
  • Защита от электростатических разрядов (ESD): Следует применять соответствующие меры по защите от ESD при обращении с компонентом.
  • Термическое управление: Обеспечьте адекватное теплоотведение для предотвращения перегрева.

Основные технические характеристики

  • Объем памяти: 72 Мбит
  • Организация памяти: 2M x 36
  • Интерфейс: Параллельный
  • Тактовая частота: до 500 МГц
  • Напряжение питания: 1,7В - 1,9В
  • Тип корпуса: 165-FBGA (13x15 мм)
  • Рабочий диапазон температур: 0°C ~ 70°C (TA)

Возможные аналоги

  • CY7C25652KV18-500BZC от Cypress
  • IS61VDS25636A-250B3L от ISSI
  • QDR2-36M-500BGA от Renesas

Заключение

CY7C25652KV18-500BZXC от Infineon представляет собой высокопроизводительную память SRAM для приложений, требующих высокой скорости и низкой задержки. Компактный форм-фактор и поддержка высоких частот делают его идеальным выбором для широкого спектра промышленных и коммерческих применений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК