CY7C25652KV18-450BZI

Общее описание

CY7C25652KV18-450BZI — это высокопроизводительный синхронный статический оперативный запоминающий блок (SRAM) от компании Infineon. Этот компонент предназначен для использования в системах, требующих большого объема памяти и высокой скорости доступа.

Преимущества

• Высокая скорость доступа: Рабочая частота до 450 МГц обеспечивает быстрый доступ к данным.
• Большой объем памяти: 72 Мбит (мегабит) памяти удовлетворят потребности требовательных приложений.
• Синхронная работа: Поддержка технологии QDR II+ для улучшенной производительности.
• Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C, что позволяет использовать компонент в различных условиях.

Недостатки

• Относительно высокая потребляемая мощность.
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM и другими типами памяти.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: маршрутизаторы и коммутаторы.
• Высокопроизводительные вычислительные системы.
• Телекоммуникационные системы.
• Базовые станции сотовой связи.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте надлежащее охлаждение: высокий рабочий ток требует эффективного отвода тепла.
• Используйте высококачественные источники питания: для поддержания стабильного напряжения.
• Требования к пайке: следуйте рекомендациям производителя для монтажа на печатную плату.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II+
• Объем памяти: 72 Мбит
• Организация памяти: 2 мегабита x 36
• Интерфейс: Параллельный
• Максимальная тактовая частота: 450 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Рабочая температура: от -40°C до +85°C
• Тип корпуса: 165-LBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• CY7C25652KV18-450BZC: аналогичная модель с другими температурными характеристиками.
• CY7C25682KV18: модель с немного иным организацией памяти.

Следуя данным рекомендациям и используя CY7C25652KV18-450BZI в своих проектах, вы сможете значительно повысить производительность ваших систем и надежность их работы.