CY7C2564XV18-366BZXC

CY7C2564XV18-366BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C2564XV18-366BZXC — это высокоскоростная синхронная SRAM (Static Random Access Memory) память с технологией QDR II+ (Quad Data Rate), разработанная компанией Infineon. Данный компонент имеет емкость 72 Мбит (2M x 36), работает с частотой до 366 МГц и поставляется в корпусе 165-FBGA (13x15 мм). Эта память предназначена для использования в системах, требующих высокой пропускной способности и низкой задержки.

Преимущества

• Высокая скорость: Операция чтения/записи осуществляется на частоте 366 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность.
• Технология QDR II+: Позволяет выполнять ввод и вывод данных с удвоенной скоростью, что повышает производительность системы.
• Ёмкость: 72 Мбит позволяют хранить большой объем данных.
• Надежность: Встроенные схемы контроля и коррекции ошибок (ECC) повышают надежность операций чтения и записи.

Недостатки

• Требуется точное управление питанием: Необходимо обеспечить стабилизированное напряжение питания в диапазоне 1.7V ~ 1.9V.
• Тепловой режим: Работоспособность гарантируется только при температуре от 0°C до +70°C, что может не подойти для всех применений.

Типовое использование

• Датацентры: Используется в серверах и хранилищах данных для повышения скорости обмена данными.
• Коммуникационные системы: Применяется в маршрутизаторах, коммутаторах и базовых станциях для улучшения пропускной способности.
• Встроенные системы: Используется в системах реального времени, где критичны высокие скорости обработки и низкие задержки.

Рекомендации по применению

• Стабилизация напряжения питания: Используйте качественные источники питания и стабилизаторы для обеспечения необходимого диапазона 1.7V ~ 1.9V.
• Отведение тепла: Обязательно учитывайте тепловыделение при проектировании печатной платы и используйте радиаторы или другие системы охлаждения при необходимости.
• Импеданс согласования: При проектировании трасс на печатной плате учитывайте требования по согласованию импеданса для высокоскоростных сигналов.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Вольатильная
• Формат памяти: SRAM
• Технология: SRAM - Синхронная, QDR II+
• Объем памяти: 72 Мбит (2M x 36)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота: 366 МГц
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Температурный диапазон: 0°C ~ +70°C (TA)
• Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• CY7C2565XV18-450BZXC от Infineon: схожие параметры, но с большей скоростью.
• IS61QDR25636-250M от ISSI: аналогичный объем и интерфейс, но с разной частотой.
• GS8662D36E-250 от GSI Technology: другой производитель, но вполне сопоставимые характеристики.

Используя CY7C2564XV18-366BZXC от Infineon, вы сможете добиться высокой производительности и надежности вашей системы, особенно в условиях, требующих быстрой обработки данных.