CY7C2563XV18-633BZC

Описание продукта: CY7C2563XV18-633BZC от Infineon Technologies

Общее описание: CY7C2563XV18-633BZC - это высокопроизводительная SRAM память с интерфейсом QDR II+ от Infineon Technologies. Этот чип предназначен для использования в системах, требующих высокой скорости доступа к данным и большой пропускной способности.

Основные характеристики:

• Тип памяти: Volatile, SRAM - Synchronous, QDR II+
• Размер памяти: 72Mbit
• Организация памяти: 4M x 18
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота работы: 633 MHz
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: от 0°C до 70°C
• Тип монтажа: Поверхностный (Surface Mount)
• Корпус: 165-LBGA
• Пакет: 165-FBGA (13x15)

Преимущества:

• Высокая скорость доступа и пропускная способность благодаря технологии QDR II+.
• Поддержка высоких частот работы до 633 MHz.
• Низкое напряжение питания способствует снижению энергопотребления.

Типичное использование:

• Системы связи
• Сетевое оборудование
• Высокопроизводительные вычислительные системы
• Видеообработка

Рекомендации по применению: Для достижения оптимальной производительности и надежности следует обеспечить стабильное напряжение питания и адекватный теплоотвод. Также рекомендуется использовать качественные печатные платы с хорошей разводкой сигналов.

Аналоги:

• Поиск аналогов может быть выполнен среди других производителей SRAM памяти с интерфейсом QDR II+.

Этот продукт представляет собой высококачественное решение для систем, где требуется быстрый доступ к большому объему данных.