CY7C25632KV18-450BZXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание продукта: CY7C25632KV18-450BZXI от Infineon Technologies
Общее описание:
CY7C25632KV18-450BZXI - это высокопроизводительная синхронная SRAM память с технологией QDR II+, предлагающая объем памяти 72Mbit с организацией 4M x 18. Этот компонент работает на частоте до 450 MHz и поддерживает параллельный интерфейс для связи.
Преимущества:
- Высокая скорость работы благодаря частоте 450 MHz.
- Отдельные независимые порты для чтения и записи данных, что улучшает производительность при многозадачности.
- Фазовая автоподстройка частоты (PLL) для точной размещения данных.
- Поддержка 1.8V напряжения питания, что снижает энергопотребление.
Недостатки:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти из-за сложности технологии.
- Ограниченное использование, преимущественно в высокопроизводительных вычислительных системах и серверах.
Типовое использование:
- Серверы и вычислительные системы высокой производительности.
- Телекоммуникационное оборудование.
- Промышленные системы управления.
Рекомендации по применению:
- Идеально подходит для приложений, требующих высокой скорости доступа к памяти и большого объема данных.
- Рекомендуется использовать с устройствами, поддерживающими параллельный интерфейс и способными обеспечить необходимое напряжение питания и частоту.
Основные технические характеристики:
- Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II+
- Объем памяти: 72Mbit
- Организация памяти: 4M x 18
- Частота: 450 MHz
- Напряжение питания: 1.8V
- Температурный диапазон: от -40°C до 85°C
- Корпус: 165-FBGA (13x15)
Возможные аналоги:
- Поиск аналогов может быть выполнен среди других производителей SRAM памяти, предлагающих схожие характеристики по скорости и объему памяти.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.