CY7C25632KV18-400BZXI

68 880,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для CY7C25632KV18-400BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C25632KV18-400BZXI — это высокопроизводительный синхронный динамический статический RAM модуль с QDR II+ интерфейсом. Объем памяти составляет 72 Мбит, и он используется в высокоскоростных системах, требующих быстрого доступа к данным, таких как системы телекоммуникаций, сетевые маршрутизаторы и серверы.

Преимущества

  • Высокая скорость: Работа с тактовой частотой до 400 МГц минимизирует задержки при доступе к данным.
  • Синхронный интерфейс: Синхронизация с внешними сигналами упрощает интеграцию в сложные системы.
  • Низкое энергопотребление: Напряжение питания всего 1.8 В, что способствует энергоэффективности.
  • Широкий диапазон рабочих температур: -40°C до 85°C, подходит для различных условий эксплуатации.

Недостатки

  • Сложность использования: Требует точной настройки для достижения максимальных характеристик.
  • Чувствительность к внешним помехам: Высокая чувствительность к электромагнитным помехам может потребовать дополнительных мер по защите.

Типовое использование

  • Телекоммуникационные системы: Подходит для использования в высокопроизводительных маршрутизаторах и коммутаторах.
  • Сетевое оборудование: Используется в серверах и других устройствах, где требуется быстрый доступ к большим объемам данных.
  • Военная и авиакосмическая техника: Идеально подходит для высоконадежных систем, требующих высоких скоростей передачи данных при экстремальных условиях эксплуатации.

Рекомендации по применению

  • Питание и заземление: Используйте стабилизированные источники питания и качественное заземление для минимизации шумов и помех.
  • Разводка печатной платы: Особое внимание уделите разводке печатной платы, чтобы минимизировать перекрестные помехи.
  • Температурный режим: Убедитесь, что условия эксплуатации соответствуют допустимым параметрам -40°C ~ 85°C.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Синхронная SRAM, QDR II+
  • Объем памяти: 72 Мбит
  • Организация памяти: 4М x 18
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота: 400 МГц
  • Цикл записи:
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C26632KV18-400BZXI
  • IDT72V36100L7BBI
  • Samsung K7P403600M

Этот модуль является отличным решением для высокопроизводительных систем, требующих высокой скорости и надежности.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК