CY7C25632KV18-400BZXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание для CY7C25632KV18-400BZXI от Infineon
Общее описание
CY7C25632KV18-400BZXI — это высокопроизводительный синхронный динамический статический RAM модуль с QDR II+ интерфейсом. Объем памяти составляет 72 Мбит, и он используется в высокоскоростных системах, требующих быстрого доступа к данным, таких как системы телекоммуникаций, сетевые маршрутизаторы и серверы.
Преимущества
- Высокая скорость: Работа с тактовой частотой до 400 МГц минимизирует задержки при доступе к данным.
- Синхронный интерфейс: Синхронизация с внешними сигналами упрощает интеграцию в сложные системы.
- Низкое энергопотребление: Напряжение питания всего 1.8 В, что способствует энергоэффективности.
- Широкий диапазон рабочих температур: -40°C до 85°C, подходит для различных условий эксплуатации.
Недостатки
- Сложность использования: Требует точной настройки для достижения максимальных характеристик.
- Чувствительность к внешним помехам: Высокая чувствительность к электромагнитным помехам может потребовать дополнительных мер по защите.
Типовое использование
- Телекоммуникационные системы: Подходит для использования в высокопроизводительных маршрутизаторах и коммутаторах.
- Сетевое оборудование: Используется в серверах и других устройствах, где требуется быстрый доступ к большим объемам данных.
- Военная и авиакосмическая техника: Идеально подходит для высоконадежных систем, требующих высоких скоростей передачи данных при экстремальных условиях эксплуатации.
Рекомендации по применению
- Питание и заземление: Используйте стабилизированные источники питания и качественное заземление для минимизации шумов и помех.
- Разводка печатной платы: Особое внимание уделите разводке печатной платы, чтобы минимизировать перекрестные помехи.
- Температурный режим: Убедитесь, что условия эксплуатации соответствуют допустимым параметрам -40°C ~ 85°C.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Синхронная SRAM, QDR II+
- Объем памяти: 72 Мбит
- Организация памяти: 4М x 18
- Интерфейс: Параллельный
- Частота: 400 МГц
- Цикл записи: —
- Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Тип монтажа: Поверхностный монтаж
- Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)
Возможные аналоги
- CY7C26632KV18-400BZXI
- IDT72V36100L7BBI
- Samsung K7P403600M
Этот модуль является отличным решением для высокопроизводительных систем, требующих высокой скорости и надежности.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.