CY7C2562XV18-450BZXC

56 400,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для CY7C2562XV18-450BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C2562XV18-450BZXC — это высокоскоростной статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) с асинхронным доступом и плотностью 72 Мбит. Этот чип использует технологию QDR II+, позволяя осуществлять параллельный доступ к данным с частотой до 450 МГц. Он предназначен для применения в системах, требующих высокой производительности при обработке данных, таких как телекоммуникационные нужды, сетевые устройства и высокопроизводительные вычислительные системы.

Преимущества

  • Высокая скорость: Частота работы до 450 МГц обеспечивает высокую производительность.
  • Плотность памяти: 72 Мбит позволяют хранить большие объемы данных.
  • QDR II+ технология: Улучшает эффективность обмена данными за счет параллельного доступа.

Недостатки

  • Высокое энергопотребление: Повышенная скорость и плотность могут привести к большому энергопотреблению.
  • Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон составляет от 0°C до 70°C, что может быть недостатком для применения в особо тяжелых условиях.

Типовое использование

  • Телекоммуникационные системы: Высокая пропускная способность и низкие задержки делают этот чип идеальным для телекоммуникационных устройств.
  • Сетевые устройства: Идеально подходит для маршрутизаторов, коммутаторов и других сетевых устройств.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы: Ускоряет обработку данных в серверах и дата-центрах.

Рекомендации по применению

  • Питание: Рекомендуется использовать стабилизированный источник питания с напряжением от 1.7V до 1.9V для обеспечения стабильной работы чипа.
  • Охлаждение: В задачах, требующих высокой производительности, может потребоваться дополнительное охлаждение для поддержания температуры в пределах допустимого диапазона.
  • Разводка платы: Необходимо тщательно продумывать маршрутизацию сигналов для минимизации шумов и помех.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Волатильная (SRAM)
  • Организация памяти: 4M x 18
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота работы: До 450 МГц
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 165-LBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C2562XV18-400BZXC: Аналог с частотой работы до 400 МГц.
  • CY7C2562XV18-333BZXC: Аналог с частотой работы до 333 МГц, может быть дешевле при меньших требованиях к производительности.

Этот компонент идеально подходит для систем, требующих высокой производительности и надежности при обработке больших объемов данных.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК