CY7C25442KV18-333BZI

Описание продукта: CY7C25442KV18-333BZI

Производитель: Infineon Technologies

Описание: SRAM - Синхронная, QDR II+ память IC 72Mbit параллельная 333 MHz 165-FBGA (13x15)

Статус: Активный

Категория:

• Технологии: Интегрированные схемы (ICs)
• Подкатегория: Память
• Тип: SRAM - Синхронная, QDR II+

Основные характеристики:

• Тип памяти: Волатильная
• Формат памяти: SRAM
• Технология: SRAM - Синхронная, QDR II+
• Размер памяти: 72Mbit
• Организация памяти: 2M x 36
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота работы: 333 MHz
• Время записи - Слово, Страница: -
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус/Кейс: 165-FBGA
• Поставщик устройства упаковки: 165-FBGA (13x15)

Применение:

CY7C25442KV18-333BZI широко используется в высокопроизводительных вычислительных системах, сетевых устройствах и других приложениях, где требуется быстрая и надежная временная буферизация данных. Эта память идеально подходит для использования в системах, где необходима высокая скорость передачи данных и минимальное время задержки.

Преимущества:

• Высокая скорость работы и низкое время доступа обеспечивают эффективную обработку больших объемов данных.
• Поддержка широкого диапазона напряжений питания упрощает интеграцию в различные системы.
• Долговечность и надежность, характерные для продукции Infineon.

Недостатки:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти может быть ограничивающим фактором для некоторых проектов.
• Ограниченная гибкость использования из-за фиксированной архитектуры и интерфейса.