CY7C2270KV18-550BZXC

7 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Infineon CY7C2270KV18-550BZXC

Общее описание

CY7C2270KV18-550BZXC — это синхронная DDR II+ SRAM память объемом 36 Мбит, разработанная компанией Infineon Technologies. Этот компонент может работать с частотой до 550 МГц и обеспечивает высокую производительность благодаря параллельному интерфейсу. Устройство поставляется в корпусе 165-FBGA с размерами 13x15 мм, что обеспечивает его компактность и удобство в монтаже на печатных платах.

Преимущества

  • Высокая скорость передачи данных благодаря тактовой частоте до 550 МГц.
  • Синхронная работа обеспечивает эффективное и упрощенное управление данными.
  • Компактный корпус (165-FBGA) позволяет сэкономить место на печатной плате.
  • Поддержка DDR II+ делает этот компонент идеальным выбором для приложений, требующих высокой производительности и надежности.

Недостатки

  • Энергопотребление может быть выше по сравнению с асинхронными SRAM-решениями.
  • Поддержка ограниченного диапазона температур (от 0°C до 70°C), что может быть критичным для промышленных приложений.

Типовое использование

  • Буферы данных в сетевом оборудовании.
  • Кэш-память в процессорах и высокопроизводительных системах.
  • Видеобуферы в графических процессорах.
  • Встроенные системы и микроконтроллеры, требующие быстрой оперативной памяти.

Рекомендации по применению

  • Учитывайте напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V.
  • Следите за температурным режимом: от 0°C до 70°C.
  • Обеспечьте адекватное охлаждение для поддержания стабильной работы устройства при максимальных нагрузках.
  • Используйте качественные компоненты для сборки и монтажа, чтобы избежать потенциальных проблем с подключением и эксплуатацией.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II+
  • Объем памяти: 36 Мбит
  • Организация памяти: 1M x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового генератора: 550 МГц
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Диапазон рабочих температур: от 0°C до 70°C
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C2262KV18-550BZXC от Cypress Semiconductor - аналог с тем же объемом памяти и характеристиками.
  • IS66WV51216EBLL от ISSI - синхронная SRAM с похожими характеристиками, но с частотой до 200 МГц и другим форм-фактором.

Используя CY7C2270KV18-550BZXC, вы обеспечите высокопроизводительное хранилище данных, способное справляться с интенсивными рабочими нагрузками, что делает его идеальным выбором для различных высокопроизводительных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК