CY7C2270KV18-400BZXC

5 040,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C2270KV18-400BZXC от Infineon


Общее описание

CY7C2270KV18-400BZXC - это высокопроизводительная синхронная память типа DDR II+ SRAM (Static Random-Access Memory) с объёмом 36 Мбит. Микросхема предназначена для использования в приложениях, требующих высокой пропускной способности и быстрого доступа к данным. Она выполнена в корпусе 165-FBGA (13x15).

Преимущества

  • Высокая пропускная способность: Поддержка частоты до 400 МГц.
  • Низкое потребление энергии: Питание от 1.7В до 1.9В.
  • Надёжность и стабильность: Производитель гарантирует стабильную работу на всем диапазоне рабочих температур.

Недостатки

  • Температурные ограничения: Рабочий диапазон температур ограничен от 0°C до 70°C.
  • Сложность монтажа: Корпус FBGA требует точного позиционирования при установке на плате.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, коммутаторы и точки доступа.
  • Телекоммуникации: Базовые станции и коммутационное оборудование.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы: Серверы и дата-центры.

Рекомендации по применению

  • Температурный контроль: Используйте термопасту и радиаторы для обеспечения эффективного охлаждения.
  • Точные процессы пайки: Применяйте автоматическое оборудование для пайки микросхем FBGA.
  • Совместимость с другими компонентами: Проверьте соответствие напряжения питания и интерфейсов с остальными компонентами схемы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Volatile (энергонезависимая)
  • Формат памяти: SRAM, синхронная, DDR II+
  • Объём памяти: 36 Мбит
  • Организация памяти: 1M x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: До 400 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Монтаж: Поверхностный монтаж (SMD)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C2262KV18 от Cypress Semiconductor: Похожая память с меньшим объёмом.
  • IS61WV25616BLL от Integrated Silicon Solution Inc.: Волатильная SRAM с параллельным интерфейсом.

Заключение

CY7C2270KV18-400BZXC от Infineon является отличным выбором для высокопроизводительных приложений, требующих быстрого доступа к данным и высокой пропускной способности. Правильное использование и монтаж данной микросхемы обеспечат долгую и надёжную работу вашей системы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК