CY7C2265KV18-550BZXI

6 720,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C2265KV18-550BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C2265KV18-550BZXI — это синхронная статическая оперативная память (SRAM) типа QDR II+ (Quad Data Rate II+), предназначенная для высокопроизводительных и критически важных приложений. Она содержит 36 мегабит памяти и обеспечивает параллельный интерфейс, что делает её идеальным выбором для систем с высокими требованиями к пропускной способности и задержке.

Преимущества

  • Высокая скорость работы: Частота тактирования до 550 МГц позволяет использовать данную микросхему в высокоскоростных системах.
  • Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение составляет от 1.7 В до 1.9 В, что помогает снизить общее энергопотребление системы.
  • Расширенный температурный диапазон: От -40°C до 85°C, подходящий для различных условий эксплуатации.
  • Компактность: Корпус 165-FBGA (13x15) обеспечивает компактные размеры устройства при высокой плотности памяти.

Недостатки

  • Цена: Высокая производительность и специализированные возможности могут повысить стоимость по сравнению с другими типами памяти.
  • Необходимость дополнительных схем: Требования к синхронизации и интерфейсу могут потребовать дополнительных компонентов и схемотехники.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, коммутаторы и базовые станции.
  • Серверные системы: Кэширующие подсистемы, обработка данных в реальном времени.
  • Военное и авиатехническое оборудование: Высоконадежные системы с широким температурным диапазоном работы.

Рекомендации по применению

  1. Стабилизированное питание: Обеспечьте стабильность питания в указанном диапазоне напряжений 1.7 В ~ 1.9 В для надежной работы устройства.
  2. Эффективное охлаждение: При высокоскоростной работе учитывайте тепловыделение и организуйте соответствующее охлаждение.
  3. Синхронизация: При использовании в высокоскоростных сетевых системах убедитесь в правильной синхронизации всех компонентов.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • Размер памяти: 36 Мбит
  • Организация памяти: 1M x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактирования: До 550 МГц
  • Напряжение питания: 1.7 В ~ 1.9 В
  • Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C2261KV18-550BZXI: Модификация с меньшим объемом памяти (9 Мбит).
  • CY7C2263KV18-550BZXI: Модификация по аналогичной технологии, но с объемом памяти 18 Мбит.

Использование микросхемы CY7C2265KV18-550BZXI от Infineon позволяет существенно повысить производительность систем, требующих высокоскоростной обмен данными и надежность работы в жестких условиях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК