CY7C2265KV18-550BZXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY7C2265KV18-550BZXI от Infineon
Общее описание
CY7C2265KV18-550BZXI — это синхронная статическая оперативная память (SRAM) типа QDR II+ (Quad Data Rate II+), предназначенная для высокопроизводительных и критически важных приложений. Она содержит 36 мегабит памяти и обеспечивает параллельный интерфейс, что делает её идеальным выбором для систем с высокими требованиями к пропускной способности и задержке.
Преимущества
- Высокая скорость работы: Частота тактирования до 550 МГц позволяет использовать данную микросхему в высокоскоростных системах.
- Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение составляет от 1.7 В до 1.9 В, что помогает снизить общее энергопотребление системы.
- Расширенный температурный диапазон: От -40°C до 85°C, подходящий для различных условий эксплуатации.
- Компактность: Корпус 165-FBGA (13x15) обеспечивает компактные размеры устройства при высокой плотности памяти.
Недостатки
- Цена: Высокая производительность и специализированные возможности могут повысить стоимость по сравнению с другими типами памяти.
- Необходимость дополнительных схем: Требования к синхронизации и интерфейсу могут потребовать дополнительных компонентов и схемотехники.
Типовое использование
- Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, коммутаторы и базовые станции.
- Серверные системы: Кэширующие подсистемы, обработка данных в реальном времени.
- Военное и авиатехническое оборудование: Высоконадежные системы с широким температурным диапазоном работы.
Рекомендации по применению
- Стабилизированное питание: Обеспечьте стабильность питания в указанном диапазоне напряжений 1.7 В ~ 1.9 В для надежной работы устройства.
- Эффективное охлаждение: При высокоскоростной работе учитывайте тепловыделение и организуйте соответствующее охлаждение.
- Синхронизация: При использовании в высокоскоростных сетевых системах убедитесь в правильной синхронизации всех компонентов.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II+
- Размер памяти: 36 Мбит
- Организация памяти: 1M x 36
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Частота тактирования: До 550 МГц
- Напряжение питания: 1.7 В ~ 1.9 В
- Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
- Корпус: 165-FBGA (13x15)
Возможные аналоги
- CY7C2261KV18-550BZXI: Модификация с меньшим объемом памяти (9 Мбит).
- CY7C2263KV18-550BZXI: Модификация по аналогичной технологии, но с объемом памяти 18 Мбит.
Использование микросхемы CY7C2265KV18-550BZXI от Infineon позволяет существенно повысить производительность систем, требующих высокоскоростной обмен данными и надежность работы в жестких условиях.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.