CY7C2265KV18-550BZXC

8 160,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для CY7C2265KV18-550BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C2265KV18-550BZXC — это высокопроизводительная синхронная статическая оперативная память (SRAM) с двойной скоростью передачи данных (QDR II+). Обеспечивает высокую пропускную способность данных и идеальна для использования в приложениях, требующих высокой скорости передачи информации.

Преимущества

  • Высокая пропускная способность: Поддержка частоты до 550 МГц обеспечивает максимальную производительность в высокоскоростных приложениях.
  • Малое энергопотребление: Низкое напряжение питания (от 1,7 В до 1,9 В) уменьшает энергопотребление, что делает чипы идеальными для мобильных и энергоэффективных устройств.
  • Надежность и устойчивость: Ориентирована на долгосрочную стабильность и надежность при длительной эксплуатации в различных температурных условиях.

Недостатки

  • Стоимость: Высококачественные компоненты и возможности могут увеличить общие расходы на разработку.
  • Сложность в интеграции: Требует тщательного проектирования схемы для максимальной производительности.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Сетевые коммутаторы, маршрутизаторы и другие устройства, где важна высокая скорость и надежность.
  • Телекоммуникации: Базовые станции и другое коммуникационное оборудование.
  • Военные и аэрокосмические системы: Использование в системах, где требуется высокая точность и надежность передачи данных.

Рекомендации по применению

  1. Планирование питания схемы: Убедитесь, что напряжение питания находится в пределах от 1,7 В до 1,9 В.
  2. Импеданс согласования: Для достижения максимальной производительности и минимизации потерь данных, проектируйте схемы с соответствующими импедансами.
  3. Термическое управление: Используйте адекватное термическое управление для предотвращения перегрева и поддержания стабильной работы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II+
  • Объем памяти: 36 Мбит
  • Организация памяти: 1M x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: 550 МГц
  • Напряжение питания: 1,7 В ~ 1,9 В
  • Температура эксплуатации: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж
  • Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • Cypress CY7C2262KV18 Series: Альтернативные модели с различными конфигурациями размеров и частот.
  • Micron MT36JSZF1G72PZ: Вариант, предоставляющий аналогичную функциональность и совместимость для высокоскоростных приложений.

Заключение

CY7C2265KV18-550BZXC от Infineon — это мощное решение для высокоскоростных и надежных операций в различных областях, требующих высокой производительности и устойчивости. Рекомендуется для использования в сетевом оборудовании, телекоммуникациях и других высокотехнологичных приложениях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК