CY7C2263KV18-550BZXI

10 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C2263KV18-550BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C2263KV18-550BZXI представляет собой высокоскоростной статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) с объемом 36 Мбит производства компании Infineon (ранее разработанный Cypress Semiconductor). Этот компонент, выполненный в корпусе 165-FBGA, обеспечивает синхронную работу с тактовой частотой до 550 МГц и поддерживается по интерфейсу QDR II+.

Преимущества

  • Высокая скорость: Работает на частоте до 550 МГц, обеспечивая быстрый доступ к данным.
  • Большой объем памяти: Имеет емкость 36 Мбит (2M x 18), что подходит для приложений, требующих значительных объемов временных данных.
  • Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение 1.7V ~ 1.9V позволяет снизить энергопотребление.

Недостатки

  • Сложность в использовании: Требует сложных схем управления и контроля, что может затруднить начальное использование для неопытных инженеров.
  • Требует качественного монтажа: Поверхностный монтаж в корпусе 165-FBGA требует точности и качества пайки.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, коммутаторы и другая сетьевая аппаратура, которая требует быстрого доступа к данным.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы: Серверы и рабочие станции.
  • Системы хранения данных: RAID-контроллеры и другое оборудование для хранения данных.

Рекомендации по применению

  1. Тщательно прорабатывайте схемотехнику: Для достижения максимальной производительности и надежности, уделите особое внимание схемотехнике и проектированию печатных плат.
  2. Обеспечьте правильное питание и заземление: Рабочее напряжение должно находиться в пределах 1.7V ~ 1.9V с минимальными шумами.
  3. Используйте подходящие паяльные материалы и оборудование: Поверхностный монтаж в корпусе 165-FBGA требует точного контроля температуры и времени пайки.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Volatile (энергозависимая)
  • Формат памяти: SRAM (статическая оперативная память)
  • Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • Объем памяти: 36 Мбит (2M x 18)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Тактовая частота: до 550 МГц
  • Рабочее напряжение: 1.7V ~ 1.9V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Тип монтажа: Поверхностный (Surface Mount)
  • Корпус / Габаритные размеры: 165-LBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C2665KV18-550BZXI: Аналогичная модель от того же производителя с схожими характеристиками.
  • IDT71V3559S133PFI: Альтернативный аналог от IDT с некоторыми изменениями в параметрах.
  • IS61LV25616AL-10TLI: Продукт от ISSI, возможно, с меньшей тактовой частотой, но схожий по остальным параметрам.

Этот компонент подходит для высокопроизводительных приложений, требующих надежного и быстрого доступа к данным.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК