CY7C2263KV18-550BZXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY7C2263KV18-550BZXI от Infineon
Общее описание
CY7C2263KV18-550BZXI представляет собой высокоскоростной статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) с объемом 36 Мбит производства компании Infineon (ранее разработанный Cypress Semiconductor). Этот компонент, выполненный в корпусе 165-FBGA, обеспечивает синхронную работу с тактовой частотой до 550 МГц и поддерживается по интерфейсу QDR II+.
Преимущества
- Высокая скорость: Работает на частоте до 550 МГц, обеспечивая быстрый доступ к данным.
- Большой объем памяти: Имеет емкость 36 Мбит (2M x 18), что подходит для приложений, требующих значительных объемов временных данных.
- Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение 1.7V ~ 1.9V позволяет снизить энергопотребление.
Недостатки
- Сложность в использовании: Требует сложных схем управления и контроля, что может затруднить начальное использование для неопытных инженеров.
- Требует качественного монтажа: Поверхностный монтаж в корпусе 165-FBGA требует точности и качества пайки.
Типовое использование
- Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, коммутаторы и другая сетьевая аппаратура, которая требует быстрого доступа к данным.
- Высокопроизводительные вычислительные системы: Серверы и рабочие станции.
- Системы хранения данных: RAID-контроллеры и другое оборудование для хранения данных.
Рекомендации по применению
- Тщательно прорабатывайте схемотехнику: Для достижения максимальной производительности и надежности, уделите особое внимание схемотехнике и проектированию печатных плат.
- Обеспечьте правильное питание и заземление: Рабочее напряжение должно находиться в пределах 1.7V ~ 1.9V с минимальными шумами.
- Используйте подходящие паяльные материалы и оборудование: Поверхностный монтаж в корпусе 165-FBGA требует точного контроля температуры и времени пайки.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Volatile (энергозависимая)
- Формат памяти: SRAM (статическая оперативная память)
- Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
- Объем памяти: 36 Мбит (2M x 18)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Тактовая частота: до 550 МГц
- Рабочее напряжение: 1.7V ~ 1.9V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Тип монтажа: Поверхностный (Surface Mount)
- Корпус / Габаритные размеры: 165-LBGA (13x15 мм)
Возможные аналоги
- CY7C2665KV18-550BZXI: Аналогичная модель от того же производителя с схожими характеристиками.
- IDT71V3559S133PFI: Альтернативный аналог от IDT с некоторыми изменениями в параметрах.
- IS61LV25616AL-10TLI: Продукт от ISSI, возможно, с меньшей тактовой частотой, но схожий по остальным параметрам.
Этот компонент подходит для высокопроизводительных приложений, требующих надежного и быстрого доступа к данным.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.