CY7C2245KV18-450BZXI

Описание для компонента CY7C2245KV18-450BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C2245KV18-450BZXI — это 36-мегабитная синхронная память SRAM типа QDR II+ (Quad Data Rate II+). Предоставляет высокую производительность с тактовой частотой до 450 МГц и напряжением питания 1.7В ~ 1.9В. Этот компонент упакован в корпус 165-FBGA, что делает его надёжным выбором для приложений, требующих высокой плотности памяти и скорости передачи данных.

Преимущества

• Высокая скорость передачи данных благодаря архитектуре QDR II+
• Компактный и надёжный корпус 165-FBGA
• Широкий диапазон рабочих температур от -40°C до +85°C
• Поддержка напряжения питания от 1.7В до 1.9В

Недостатки

• Может требовать дополнительных ухищрений для теплоотвода при работе на предельных характеристиках.

Типовое использование

• Коммуникационные системы
• Сетевые маршрутизаторы и коммутаторы
• Высокопроизводительные вычислительные системы
• Промышленные и коммерческие системы хранения данных

Рекомендации по применению

• Обеспечить стабильное питание в пределах 1.7В ~ 1.9В для стабильной работы.
• Рассмотреть установку дополнительного теплоотвода для предотвращения перегрева при высоких нагрузках.
• Подключить к цепям с учётом максимальной тактовой частоты 450 МГц для обеспечения максимально возможной скорости передачи данных.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II+
• Объем памяти: 36 Мбит
• Организация памяти: 1М x 36
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота тактового сигнала: До 450 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15 мм)
• Рабочая температура: от -40°C до +85°C

Возможные аналоги

• CY7C2265KV18-550BZXI от того же производителя с увеличенной частотой тактового сигнала до 550 МГц.
• CY7C2166KV18-450BZXI — аналогичный чип с другим объемом памяти.

Используйте компонент CY7C2245KV18-450BZXI от Infineon при необходимости в высокопроизводительной памяти для критичных к времени откликов задач.