CY7C2170KV18-550BZXC

Описание

CY7C2170KV18-550BZXC от Infineon — это интегральная схема статической оперативной памяти (SRAM) с размером памяти 18 мегабит (2048K x 9). Эта память относится к типу Synchronous DDR II+ и использует параллельный интерфейс. Микросхема выполнена в корпусе 165-FBGA (13x15 мм) и предназначена для поверхностного монтажа.

Преимущества

• Высокая частота работы: Память работает на частоте до 550 МГц, обеспечивая высокую производительность в приложениях, требующих быстрой обработки данных.
• Низкое энергопотребление: Работает при напряжении питания в диапазоне от 1.7В до 1.9В, что снижает суммарное энергопотребление системы.
• Большой объем памяти: 18 Мбит позволяют хранить значительные объемы данных прямо в памяти устройства.

Недостатки

• Ограниченный температурный диапазон: Рабочая температура от 0°C до 70°C может быть недостаточной для некоторых промышленных и экстремальных условий.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: Роутеры, сетьевой коммутаторы и маршрутизаторы, требующие быстрых операций с памятью.
• Высокопроизводительные вычисления: Используется в серверах и суперкомпьютерах для хранения временных данных.
• Телекоммуникации: Применяется в устройствах связи, таких как базовые станции.

Рекомендации по применению

1. Убедитесь в соответствии напряжения питания: При проектировании схемы убедитесь, что подается напряжение в диапазоне 1.7В-1.9В.
2. Теплоотвод: Используйте адекватные механизмы теплоотвода, чтобы избежать перегрева и обеспечить стабильную работу.
3. Правильный монтаж: Монтируйте микросхему на плате с высоким качеством, чтобы избежать проблем с неплотными контактами и пайкой.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II+
• Объем памяти: 18 Мбит (2048K x 9)
• Частота работы: до 550 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• IS61WV102416BLL-10TLI от ISSI: Используется в аналогичных применениях, с меньшим объемом памяти и чуть более низкими характеристиками производительности.
• MT55L512L18P-10 от Micron: SRAM с объемом памяти 9 Мбит, также подходящая для сетевого оборудования и телекоммуникаций.

Мы надеемся, что данная информация поможет вам принять обоснованное решение при выборе этого компонента для вашего проекта.