CY7C2170KV18-400BZXC

9 360,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C2170KV18-400BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C2170KV18-400BZXC — это синхронная двойно-скоростная (DDR II+) статическая оперативная память (SRAM) ёмкостью 18 Мбит с параллельным интерфейсом. Этот компонент предназначен для высокопроизводительных приложений, где важна быстрая передача данных и высокая надёжность.

Преимущества

  • Высокая скорость: с тактовой частотой до 400 МГц, этот SRAM обеспечивает быстрое чтение и запись данных.
  • Широкий диапазон питающего напряжения: от 1.7V до 1.9V, что делает его гибким в различных схемах.
  • Прочная конструкция: в корпусе из пластика типа 165-FBGA, обеспечивающем лучшую стойкость к механическим воздействиям и коррозии.

Недостатки

  • Ограниченный температурный диапазон: (-55°C до 125°C ), что может ограничить применение в экстремальных условиях.
  • Сложность монтажа: корпус 165-FBGA требует точного монтажа и пайки, что может представлять сложность для сборочных линий без необходимого оборудования.

Типовое использование

  • Сети и коммуникации: маршрутизаторы и коммутаторы, требующие быстрой работы памяти.
  • Измерительное оборудование: осциллографы и анализаторы сигналов, нуждающиеся в оперативной памяти с низкой задержкой.
  • Системы видеонаблюдения: видеокамеры высокого разрешения и DVR-системы, требующие высокой скорости обработки видеопотоков.

Рекомендации по применению

  • Электропитание: необходимо обеспечить стабильное напряжение питания в пределах 1.7V - 1.9V.
  • Теплоотвод: рекомендуется использование радиаторов или активного охлаждения при максимальной нагрузке.
  • Экранирование: для работы при высоких частотах целесообразно использовать экранированные слои на платах для минимизации помех.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II+
  • Ёмкость памяти: 18 Мбит
  • Организация памяти: 512K x 36
  • Интерфейс памяти: параллельный
  • Тактовая частота: до 400 МГц
  • Питающее напряжение: 1.7V ~ 1.9V
  • Температурный диапазон: -55°C до 125°C (TA)
  • Корпус / упаковка: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • IS61WV5128BLL-10TLI от ISSI
  • CY7C1041G30-10ZSXI от Cypress
  • AS6C4008-55TIN от Alliance Memory

Этот компонент является надежным выбором для применений, требующих высокой производительности и скорости передачи данных. Спасибо за ваш интерес и наш выбор!

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК