CY7C2165KV18-550BZC

10 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Общее описание

CY7C2165KV18-550BZC - это интегральная схема статической оперативной памяти (SRAM) от Infineon Technologies, поддерживающая высокоскоростной синхронный интерфейс QDR II+ (Quad Data Rate II Plus). Этот модуль памяти имеет объём 18 мегабит и поставляется в корпусе 165-FBGA размером 13x15 мм. Предназначена для использования в высокопроизводительных сетевых и коммуникационных устройствах, где требуется высокая скорость передачи данных.

Преимущества

  • Высокая скорость работы: Частота до 550 МГц, что обеспечивает быструю обработку данных.
  • Интерфейс Quad Data Rate II+: Позволяет достигать высокой пропускной способности памяти.
  • Надёжность и стабильность работы: Продукт прошёл строгие тесты на качество, что гарантирует его устойчивую работу в заданном температурном диапазоне.

Недостатки

  • Цена: Относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти.
  • Ограниченный диапазон рабочих температур: Рабочий диапазон температур составляет от 0°C до 70°C, что может быть ограничением для некоторых применений.

Типовое использование

  • Сетевые устройства: Маршрутизаторы, коммутаторы, и другие устройства, требующие высокую скорость передачи данных.
  • Коммуникационное оборудование: Системы связи, требующие быстрой обработки и передачи данных.
  • Передовые вычислительные системы: Использование в высокопроизводительных вычислительных решениях, требующих быструю и надежную память.

Рекомендации по применению

  • Обеспечение адекватного охлаждения: Учитывая рабочий диапазон температур, необходимо обеспечить соответствующее охлаждение для предотвращения перегрева.
  • Проверка напряжения: Важно подавать напряжение питания в диапазоне от 1.7В до 1.9В для обеспечения стабильной работы.
  • Обеспечение правильного монтажа: Следует использовать правильные методики поверхностного монтажа для установки компонента.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Волатильная (SRAM)
  • Технология: SRAM - синхронная, QDR II+ (Quad Data Rate II Plus)
  • Объём памяти: 18 Мбит
  • Организация памяти: 512K x 36 бит
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота работы: до 550 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • IS61QDPB22M18-550B4 от ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
  • AS7C1025C-10JCN от Alliance Memory, Inc.

Заключение

CY7C2165KV18-550BZC от Infineon Technologies представляет собой надёжное и высокопроизводительное решение для приложений, требующих высокой скорости передачи данных. С учетом правильного использования и условий эксплуатации, этот компонент обеспечит длительную и стабильную работу в заданных устройствах.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК