CY7C2163KV18-550BZXI

5 040,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента CY7C2163KV18-550BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C2163KV18-550BZXI – это статическая оперативная память (SRAM) с синхронным интерфейсом QDR II+ от производителя Infineon Technologies. Этот чип памяти имеет емкость 18 Mbit и предназначен для использования в высокопроизводительных приложениях, таких как сетевые подсистемы и системы обработки данных.

Преимущества

  • Высокая производительность: Обеспечивает работу на тактовых частотах до 550 МГц, что делает ее подходящей для применения в высокоскоростных системах.
  • Низкая задержка: Синхронная архитектура QDR II+ обеспечивает низкое время доступа к данным.
  • Надежность: Поддержка широкого диапазона рабочих температур от –40°C до +85°C.

Недостатки

  • Энергопотребление: Высокая производительность может потребовать повышенного потребления энергии.
  • Стоимость: Передовые характеристики могут отразиться на стоимости компонента.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Компонент часто используется в маршрутизаторах, коммутаторах и других устройствах для обработки больших объемов данных.
  • Системы обработки данных: Походит для высокопроизводительных вычислительных систем, включая сервера и дата-центры.
  • Телекоммуникации: Применяется в телекоммуникационных узлах и базовых станциях.

Рекомендации по применению

  • Правильное охлаждение: Учитывая высокую рабочую частоту и возможное энергопотребление, обеспечьте адекватное охлаждение для поддержания стабильной работы.
  • Правильное питание: Убедитесь, что напряжение питания находится в диапазоне от 1.7В до 1.9В.
  • Поверхностный монтаж: Поскольку чип представлен в корпусе 165-FBGA, требуется использование соответствующего оборудования для поверхностного монтажа.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Volatile (энергозависимая)
  • Формат памяти: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • Емкость памяти: 18 Mbit
  • Организация памяти: 1M x 18
  • Интерфейс: Parallel
  • Тактовая частота: до 550 МГц
  • Диапазон напряжения питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Рабочая температура: от –40°C до +85°C
  • Монтаж: Surface Mount (поверхностный монтаж)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C2263KV18-550BZXI: Увеличенная емкость в 36 Mbit с аналогичными характеристиками.
  • IDT 71V67703S133BFI8: Аналогичный чип от Integrated Device Technology с емкостью 16 Mbit.
  • IS61WV51216BLL-10TLI: Чип от ISSI с емкостью 8 Mbit, более подходящий для менее требовательных приложений.

Применение CY7C2163KV18-550BZXI обеспечит высокую производительность и надежность в системах, требующих быстрой и эффективной обработки больших объемов данных.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК