CY7C2163KV18-550BZXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание компонента CY7C2163KV18-550BZXI от Infineon
Общее описание
CY7C2163KV18-550BZXI – это статическая оперативная память (SRAM) с синхронным интерфейсом QDR II+ от производителя Infineon Technologies. Этот чип памяти имеет емкость 18 Mbit и предназначен для использования в высокопроизводительных приложениях, таких как сетевые подсистемы и системы обработки данных.
Преимущества
- Высокая производительность: Обеспечивает работу на тактовых частотах до 550 МГц, что делает ее подходящей для применения в высокоскоростных системах.
- Низкая задержка: Синхронная архитектура QDR II+ обеспечивает низкое время доступа к данным.
- Надежность: Поддержка широкого диапазона рабочих температур от –40°C до +85°C.
Недостатки
- Энергопотребление: Высокая производительность может потребовать повышенного потребления энергии.
- Стоимость: Передовые характеристики могут отразиться на стоимости компонента.
Типовое использование
- Сетевое оборудование: Компонент часто используется в маршрутизаторах, коммутаторах и других устройствах для обработки больших объемов данных.
- Системы обработки данных: Походит для высокопроизводительных вычислительных систем, включая сервера и дата-центры.
- Телекоммуникации: Применяется в телекоммуникационных узлах и базовых станциях.
Рекомендации по применению
- Правильное охлаждение: Учитывая высокую рабочую частоту и возможное энергопотребление, обеспечьте адекватное охлаждение для поддержания стабильной работы.
- Правильное питание: Убедитесь, что напряжение питания находится в диапазоне от 1.7В до 1.9В.
- Поверхностный монтаж: Поскольку чип представлен в корпусе 165-FBGA, требуется использование соответствующего оборудования для поверхностного монтажа.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Volatile (энергозависимая)
- Формат памяти: SRAM - Synchronous, QDR II+
- Емкость памяти: 18 Mbit
- Организация памяти: 1M x 18
- Интерфейс: Parallel
- Тактовая частота: до 550 МГц
- Диапазон напряжения питания: 1.7В ~ 1.9В
- Рабочая температура: от –40°C до +85°C
- Монтаж: Surface Mount (поверхностный монтаж)
- Корпус: 165-FBGA (13x15)
Возможные аналоги
- CY7C2263KV18-550BZXI: Увеличенная емкость в 36 Mbit с аналогичными характеристиками.
- IDT 71V67703S133BFI8: Аналогичный чип от Integrated Device Technology с емкостью 16 Mbit.
- IS61WV51216BLL-10TLI: Чип от ISSI с емкостью 8 Mbit, более подходящий для менее требовательных приложений.
Применение CY7C2163KV18-550BZXI обеспечит высокую производительность и надежность в системах, требующих быстрой и эффективной обработки больших объемов данных.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.