CY7C1911KV18-333BZC

7 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента - CY7C1911KV18-333BZC от Infineon

Общее описание

CY7C1911KV18-333BZC - это высокопроизводительная синхронная SRAM-память от Infineon Technologies, использующая технологию QDR-II (Quad Data Rate). Она обеспечивает высокую пропускную способность с частотой до 333 МГц, что делает её идеальной для приложений, требующих быстрого доступа к данным.

Преимущества

  • Высокая частота - Обеспечивает стабильную работу на частоте до 333 МГц, что значительно увеличивает скорость передачи данных.
  • Высокая емкость - Объем памяти составляет 18 Мбит (2M x 9), что позволяет хранить большие объемы данных.
  • QDR-II технология - Синхронная память с четырёхтактной передачей данных, повышающая общую эффективность.
  • Надежность и стабильность - Производится ведущим производителем Infineon Technologies, известным своим качеством.

Недостатки

  • Относительно высокая стоимость - Высокая производительность и ёмкость могут повлиять на цену компонента.
  • Ограниченные температурные диапазоны - Рабочая температура 0°C ~ 70°C (TA) может быть ограничением для некоторых приложений.

Типовое использование

  • Сетевые устройства - Используется в маршрутизаторах, коммутаторах и других сетевых устройствах для ускорения обработки данных.
  • Системы хранения данных - Подходит для серверов и систем хранения данных для быстрой работы с больших объемами информации.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы - Применяется в высокопроизводительных вычислительных устройствах для быстрого доступа к данным.

Рекомендации по применению

  • Убедитесь, что условия эксплуатации соответствуют допустимому температурному диапазону 0°C ~ 70°C.
  • Соблюдайте рекомендованные параметры питания в диапазоне 1.7V ~ 1.9V.
  • Убедитесь в наличии подходящих разъемов для 165-FBGA корпуса (13x15).

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Емкость памяти: 18Mbit (2M x 9)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота: 333 MHz
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C1912KV18-333BZC - Аналогичный компонент с другой организацией памяти.
  • CY7C1913KV18-333BZC - Аналогичная версия с большим объемом памяти.
  • AS7C1026B-10JCN от Alliance Memory - Альтернативная SRAM-память от другого производителя.

Примечание: Рекомендуется проверять совместимость и спецификации при выборе аналогов.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК