CY7C1665KV18-450BZXC

Описание продукта: CY7C1665KV18-450BZXC от Infineon Technologies

Общее описание: CY7C1665KV18-450BZXC - это высокопроизводительная синхронная SRAM память с объемом 144Mbit, организованная как 4M x 36. Этот чип использует технологию QDR II+, что позволяет достигать высокой пропускной способности и низкой задержки, что идеально подходит для систем, требующих быстрого доступа к данным, таких как сетевое оборудование, серверы и высокопроизводительные вычислительные системы.

Основные характеристики:

• Тип памяти: Volatile
• Формат памяти: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Объем памяти: 144Mbit
• Организация памяти: 4M x 36
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота работы: 450 MHz
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус: 165-FBGA (15x17)

Преимущества:

• Высокая скорость доступа и пропускная способность благодаря технологии QDR II+.
• Поддержка отдельных независимых портов чтения и записи для одновременных операций.
• Подходит для приложений, требующих высокой производительности и быстрого доступа к большим объемам данных.

Типичное использование:

• Сетевое оборудование
• Серверы и хранилища данных
• Высокопроизводительные вычислительные системы

Рекомендации по применению:

• Убедитесь, что питание и сигнальные линии хорошо защищены от помех для обеспечения стабильности работы.
• При проектировании печатной платы обеспечьте адекватный теплоотвод, так как высокая частота работы может привести к повышению температуры компонента.

Аналоги:

• Поиск аналогов может быть выполнен среди других SRAM чипов с аналогичными характеристиками в линейках других производителей, таких как Micron, Samsung или GSI Technology.