CY7C1663KV18-550BZXC

Описание компонента CY7C1663KV18-550BZXC от Infineon

Общее описание:
CY7C1663KV18-550BZXC - это высокопроизводительная синхронная SRAM память с объемом 144Mbit, разработанная компанией Infineon. Эта память использует технологию QDR II+, что обеспечивает высокую скорость передачи данных и отличается отдельными независимыми портами для чтения и записи, что позволяет выполнять операции одновременно.

Преимущества:

• Высокая частота работы до 550 MHz, что обеспечивает высокую пропускную способность.
• Независимые порты для чтения и записи, поддерживающие одновременные транзакции.
• Низкое напряжение питания от 1.7V до 1.9V, что снижает энергопотребление.
• Поддержка burst-режима длиной 4 слова, что улучшает эффективность обработки данных.

Недостатки:

• Относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти.
• Требует точного соблюдения условий эксплуатации для стабильной работы.

Типовое использование:

• Системы связи высокой пропускной способности.
• Серверы и сетевые устройства.
• Высокопроизводительные вычислительные системы.

Рекомендации по применению:

• Обеспечить адекватное охлаждение компонента для предотвращения перегрева.
• Использовать стабильные источники питания для предотвращения сбоев в работе.
• Провести тщательное тестирование системы на стадии проектирования для оптимизации производительности.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: Volatile SRAM - Synchronous, QDR II+
• Размер памяти: 144Mbit
• Организация памяти: 8M x 18
• Частота: 550 MHz
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: от 0°C до 70°C
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги:

• Похожие модели могут включать другие SRAM памяти с аналогичными характеристиками, но от других производителей, таких как Samsung или Micron.

Этот компонент идеально подходит для разработчиков, ищущих высокопроизводительные решения для управления данными в условиях высоких требований к скорости и надежности.