CY7C1625KV18-250BZXI

CY7C1625KV18-250BZXI

Общее описание

CY7C1625KV18-250BZXI — это статическая оперативная память (SRAM) с асинхронным доступом, производимая компанией Infineon Technologies. Объем памяти составляет 144 Мбит, а организация памяти - 16M x 9 бит. Основной особенностью является поддержка технологии QDR II, что обеспечивает высокую скорость передачи данных и низкую задержку доступа. Корпус выполнен в формате 165-FBGA (15x17 мм), что обеспечивает компактный монтаж на печатной плате.

Преимущества

• Высокая производительность: Пропускная способность до 250 МГц, что делает её отличным выбором для применений, требующих высокой скорости передачи данных.
• Надежность: Диапазон рабочих температур составляет от -40°C до 85°C, что позволяет использовать её в самых различных условиях.
• Энергоэффективность: Напряжение питания от 1.7 В до 1.9 В позволяет снизить энергозатраты системы.

Недостатки

• Сложность монтажа: Из-за мелкой структуры корпуса FBGA требуется высокая точность при установке на плату.
• Ограниченная поставка: Статус Last Time Buy означает, что компонент в скором времени может быть снят с производства.

Типовое использование

• Сетевые устройства: Маршрутизаторы и коммутаторы, где важна высокая скорость обработки данных.
• Телекоммуникационное оборудование: Включает в себя базовые станции и другие устройства связи.
• Высокопроизводительные серверы: В системах, где выполняются ресурсоемкие вычисления и требуются быстрая обработка данных.

Рекомендации по применению

• Используйте этот модуль в приложениях, где важна скорость передачи данных и низкие задержки, например, в сетевых устройствах и телекоммуникациях.
• Учитывайте назначенный диапазон рабочих температур при проектировании устройства.
• Обеспечьте соблюдение требований по напряжению питания, чтобы гарантировать оптимальную производительность и долговечность компонента.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Вольатильная (Volatile)
• Формат памяти: SRAM - Synchronous, QDR II
• Объем памяти: 144 Мбит
• Организация памяти: 16M x 9
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота тактового сигнала: 250 МГц
• Напряжение питания: 1.7 В - 1.9 В
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Тип монтажа: Поверхностный (Surface Mount)
• Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)

Возможные аналоги

• CY7C1626KV18 от Infineon Technologies: Подобное устройство с отличающимися характеристиками объема и организации памяти.
• IS61WV25616EDBLL от ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.): Другой вариант SRAM, предлагающий схожую производительность и интерфейс.

Используйте CY7C1625KV18-250BZXI от Infineon Technologies для реализации высокопроизводительных и надежных электронных систем.