CY7C1623KV18-250BZXC

Описание CY7C1623KV18-250BZXC от Infineon

Общее описание:

CY7C1623KV18-250BZXC - это синхронная память типа DDR II (Double Data Rate II) SRAM компании Infineon. Данный компонент представляет собой высокопроизводительную оперативную память с емкостью 144 Мбит и интерфейсом на базе параллельного доступа. Чип выполнен в корпусе 165-FBGA размером 15x17 мм.

Преимущества:

• Высокая скорость работы: Частота до 250 МГц.
• Энергосбережение: Питание в диапазоне 1.7В ~ 1.9В.
• Стабильность и надежность: Отличные характеристики срока службы и производительности.

Недостатки:

• Вышел из производства (обозначен как устаревший).

Типовое использование:

• Высокоскоростные вычислительные системы.
• Сетевые устройства.
• Промышленная автоматика и электроника.
• Оборудование для обработки и хранения данных.

Рекомендации по применению:

• Температурный диапазон эксплуатации: от 0°C до 70°C.
• Убедитесь, что схема имеет стабильное питание в пределах 1.7В ~ 1.9В.
• Поддерживайте правильное охлаждение для предотвращения перегрева.

Основные технические характеристики:

Возможные аналоги:

• Cypress CY7C1380D.
• IDT 71V416 DRAM.
• Micron MT45W8MW16BGX.

Этот компонент является высокопроизводительным решением для применения в системах, требующих высокой скорости и надежности. Однако, стоит учитывать, что он обозначен как устаревший, и возможны сложности с его закупкой.