CY7C1618KV18-333BZXC

57 120,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1618KV18-333BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C1618KV18-333BZXC - это высокопроизводительный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) объемом 144 мегабит от компании Infineon. Эта микросхема использует технологию Synchronous Double Data Rate (DDR II) и имеет параллельный интерфейс. Компактный корпус BGA позволяет использовать этот компонент в высокоплотных и чувствительных к пространству приложениях.

Преимущества

  1. Высокая плотность памяти: 144 мегабита.
  2. Высокоскоростная работа: Синхронное DDR II с частотой до 333 МГц.
  3. Низкое энергопотребление: Широкий диапазон напряжений питания (1.7V-1.9V).
  4. Компактный корпус: 165-FBGA (15x17), подходит для монтажа на поверхность.

Недостатки

  1. Ограниченный температурный диапазон: Рабочая температура от 0°C до 70°C может не подойти для экстремальных условий.
  2. Сложность в работе: Необходима точная настройка и согласование с другими компонентами системы.

Типовое использование

CY7C1618KV18-333BZXC идеально подходит для использования в высокопроизводительных вычислительных системах, таких как:

  • Сетевое оборудование: Коммутаторы и маршрутизаторы.
  • Телекоммуникации: Базовые станции и оборудования для обработки сигналов.
  • Встраиваемые системы: Средства управления и обработки данных в реальном времени.

Рекомендации по применению

  • Согласование сигналов: Обеспечьте точный контроль за согласованием сигналов для максимальной производительности.
  • Фильтрация питания: Используйте качественные конденсаторы для фильтрации питания.
  • Корпус и монтаж: Следите за правильным размещением и пайкой корпуса для надежности соединений.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Объем памяти: 144 Мбит
  • Организация памяти: 8M x 18
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: 333 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги

  • IDT71V67703S150BQ от IDT (Integrated Device Technology)
  • IS61WV25616BLL-10TLI от ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

Эти аналоги также представляют собой SRAM решетки с различными напряжениями питания и частотами. Выбор подходящего аналога зависит от конкретных требований вашего проекта.

Заключение

CY7C1618KV18-333BZXC от Infineon - это мощное и компактное решение для высокопроизводительных приложений. Правильное использование и внимание к деталям монтажа обеспечат стабильную и эффективную работу устройства.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК