CY7C1612KV18-250BZXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Общее описание
Infineon CY7C1612KV18-250BZXI – это высокоскоростная синхронная SRAM-память (Static Random Access Memory) с интерфейсом QDR II, представлена в корпусе 165-FBGA. Этот чип имеет объем 144 мегабитов и предлагает параллельный доступ к данным, что делает его идеальным для приложений, требующих высокой пропускной способности и скорости доступа к данным.
Преимущества
- Высокая скорость: Рабочая частота до 250 МГц обеспечивает высокую скорость передачи данных.
- Параллельный интерфейс: Обеспечивает одновременно высокую производительность и гибкость.
- Низкое энергопотребление: Диапазон напряжения питания от 1.7V до 1.9V снижает общее энергопотребление системы.
- Широкий температурный диапазон: Подходит для использования в сложных условиях эксплуатации благодаря рабочему температурному диапазону от -40°C до 85°C.
Недостатки
- Сложность управления: Требуется тщательная настройка и управление синхронизацией для обеспечения максимальной производительности.
- Ценовой фактор: Стоимость может быть выше по сравнению с более медленными и менее мощными альтернативами.
Типовое использование
- Сетевое оборудование: Маршрутизаторы и коммутаторы, требующие быстрого и надежного доступа к памяти.
- Системы связи: Мобильные и стационарные системы обмена данных, где критична высокая скорость обработки информации.
- Высокопроизводительные вычисления: Серверы и рабочие станции для вычислительно интенсивных приложений.
Рекомендации по применению
- Тщательно планируйте разводку печатной платы: Чтобы минимизировать задержки и помехи.
- Используйте подходящие схемы питания: Для поддержания стабильного напряжения в допустимом диапазоне.
- Поддерживайте оптимальные условия охлаждения: Для предотвращения перегрева и обеспечения стабильной работы устройства.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Вольтильная, синхронная SRAM.
- Объем памяти: 144 Мбит.
- Организация памяти: 8M x 18.
- Интерфейс: Параллельный.
- Частота тактового сигнала: 250 МГц.
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V.
- Рабочая температура: от -40°C до 85°C.
- Корпус: 165-FBGA (15x17 мм).
Возможные аналоги
- IDT 71V67603S133BQG: SRAM с аналогичными характеристиками, но с другой частотой тактового сигнала.
- Micron MT55L256V36C1T-7.5: Альтернативный вариант с похожей организацией памяти и интерфейсом.
- Renesas RMLV0816EGSB-5S2: Вариант с меньшим объемом памяти и другими новыми характеристиками для определенных приложений.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.