CY7C1612KV18-250BZXI

60 720,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Общее описание

Infineon CY7C1612KV18-250BZXI – это высокоскоростная синхронная SRAM-память (Static Random Access Memory) с интерфейсом QDR II, представлена в корпусе 165-FBGA. Этот чип имеет объем 144 мегабитов и предлагает параллельный доступ к данным, что делает его идеальным для приложений, требующих высокой пропускной способности и скорости доступа к данным.

Преимущества

  • Высокая скорость: Рабочая частота до 250 МГц обеспечивает высокую скорость передачи данных.
  • Параллельный интерфейс: Обеспечивает одновременно высокую производительность и гибкость.
  • Низкое энергопотребление: Диапазон напряжения питания от 1.7V до 1.9V снижает общее энергопотребление системы.
  • Широкий температурный диапазон: Подходит для использования в сложных условиях эксплуатации благодаря рабочему температурному диапазону от -40°C до 85°C.

Недостатки

  • Сложность управления: Требуется тщательная настройка и управление синхронизацией для обеспечения максимальной производительности.
  • Ценовой фактор: Стоимость может быть выше по сравнению с более медленными и менее мощными альтернативами.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Маршрутизаторы и коммутаторы, требующие быстрого и надежного доступа к памяти.
  • Системы связи: Мобильные и стационарные системы обмена данных, где критична высокая скорость обработки информации.
  • Высокопроизводительные вычисления: Серверы и рабочие станции для вычислительно интенсивных приложений.

Рекомендации по применению

  • Тщательно планируйте разводку печатной платы: Чтобы минимизировать задержки и помехи.
  • Используйте подходящие схемы питания: Для поддержания стабильного напряжения в допустимом диапазоне.
  • Поддерживайте оптимальные условия охлаждения: Для предотвращения перегрева и обеспечения стабильной работы устройства.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Вольтильная, синхронная SRAM.
  • Объем памяти: 144 Мбит.
  • Организация памяти: 8M x 18.
  • Интерфейс: Параллельный.
  • Частота тактового сигнала: 250 МГц.
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V.
  • Рабочая температура: от -40°C до 85°C.
  • Корпус: 165-FBGA (15x17 мм).

Возможные аналоги

  • IDT 71V67603S133BQG: SRAM с аналогичными характеристиками, но с другой частотой тактового сигнала.
  • Micron MT55L256V36C1T-7.5: Альтернативный вариант с похожей организацией памяти и интерфейсом.
  • Renesas RMLV0816EGSB-5S2: Вариант с меньшим объемом памяти и другими новыми характеристиками для определенных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК